Hallo Forum! Im Rahmen der Prüfungsvorbereitung arbeite ich mich gerade durch den "Tietze Schenk" Halbleiterschlatungstechnik. Am Anfang von Kapitel 6 "Kippschaltungen" geht es um die Dimensionierung des Basiswiderstandes eines Transistors. Mit der Berechnung habe ich an einer Stelle ein Problem. Ist das vielleicht ein Druckfehler? Und wenn nicht, kann mir das vielleicht jemand erläutern? Dimensionierung von R_b ----------------------- Forderung: U_e = 1,5V U_Low < 0,4V I_c ~ V+ / R_c = 1mA Stromverstärkung B = 100 Basistrom I_Bmin = I_c / B = 10µA 10fache Übersteuerung I_B = 100µA Daraus folgt für R_b: R_b = (1,5V - 0,6V) / 100µA = 9kΩ ---------------------------------- R = U/I soweit klar... U_e = U_High = 1,5V ok! 10fache Übersteuerung I_B = 100µA auch klar... Aber wo kommen die 0,6V her, die abgezogen werden?
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Die 0,6 Volt stellen wohl Ube dar, also die Basis-Emitter Spannung.0,6 bis 0,7 Volt wären typisch für einen Silizium Transistor. Hier noch ein Link: http://de.wikipedia.org/wiki/Basis-Emitter-Spannung Alles klar ?
Ach ja... Ich muss ja erstmal 0,6-0,7V anliegen haben, damit was passiert. Da hätte ich auch drauf kommen können. Danke!
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