Hallo, ich möchte einen MOS-FET IRF520 als Schalter verwenden. Und zwar so, dass Strom fließt, wenn GND geschlossen wird. Hab mal eine kleine Skizze gemacht und möchte von euch bitte wissen, ob ich das richtig verstanden habe. Wenn also SOURCE auf GND gelegt wird dann fließt der Strom durch GATE und DRAIN. Richtig so? Lg
Autsch, nein. Was ist denn das? Wenn du schon einen Schalter hast, wieso willst du noch einen MOSFET benutzen?
> Richtig so? Nein, natürlich nicht, wie man schon am Schaltzeichen erkennen kann, in dem Gate und Drain offenbar nicht durch einen Strich verbunden sind, sondern durch eine Löcke getrennt sind. Zudem braucht ein IRF520 ca. 10 Volt um eingeschaltet zu sein, wie man in dessen Datenblatt an der Beschriftung RDSon VGS = 10 V erkennen kann. Das wird mit einer CR Batterie also sowieso nichts. Der Aufwand, aus ca. 3V einen NMOSFET in der Spannungszuleitung mit 10V einzuschalten, ist erheblich, man braucht einen Oszillator und eine Ladungspumpe als Spannungsvervielfacher die eine Spannung auf die Source-Spannung draufsetzt. Wenn man sowieso schon einen Schalter an Masse hat, baut man einfach: +--------------+ + | | + Batterie Verbraucher - | / | - +------o/ o----+
Also, ich will ein Relais ersetzen, welches schließt, wenn ein Schalter der zwischen GND und dem entsprechendem Relais Pin liegt, gedrückt wird. Es gibt eine 12 Volt Batterie, konnte in Eagle auf die Schnelle nur nichts gescheides finden.
Dann versuche es mit einem P-Kanal MOSFET wie IRF9530 und einem 10kOhm Widerstand vom Gate nach Source: S D +---+----IRF9530-------------+ | | | / | + 12V +--10k--+--o/ o--+ Verbraucher | | | - +--------------------+-------+ allerdings kann ein empfindlicher MOSFET im KFZ-Bordnetz zu Problemen führen, und da du ihn wohl sowieso kaufen musst kannst du auch gleich einen Autotauglichen PROFET kaufen, wie BTS432. Blöderweise schaltet der umgekehrt, Schalter nach Masse heisst aus.
Danke für deine Antwort. Stimmt, ein Widerstand erscheint logisch, damit die Sorce-Gate Spannung bei offenem Schalter auf 0V gezogen wird. Aber wieso ein p-Mosfet? Ist es nicht so, dass ein n-Mosfet bei positiver Source-Gate Spannung und ein p-Mosfet bei negativer schaltet? Eigentlich hab ich schon einen n-Mosfet und zwar diesen: STD35NF06LT4 Inwiefern sind die empfindlich? Empfindlich auf ein elektrisches Feld oder Erschütterungen? Der BTS432 kommt dann leider nicht in Frage. Die externe Beschaltung kann nicht geändert werden. Lg
@ Athlon N/a (athlon) >Aber wieso ein p-Mosfet? Weil der hier besser geeignet ist. > Ist es nicht so, dass ein n-Mosfet bei >positiver Source-Gate Spannung und ein p-Mosfet bei negativer schaltet? Ja. Wenn der P-Kanal aber "kopfüber" an VCC hängt, ist das Gate negativer als die Source. Wenn man Vcc schalten will, ist ein P-Kanal einfacher nutzbar. >Eigentlich hab ich schon einen n-Mosfet und zwar diesen: STD35NF06LT4 Hmm. >Inwiefern sind die empfindlich? Empfindlich auf ein elektrisches Feld Ja, mit ESD (elektrostatischer Entladung) am Gate killst du so ein Ding sehr schnell. Eine Z-Diode mit 12-15V zwischen Gate und Source kann das Schlimmste verhindern. >oder Erschütterungen? Nein. MFG Falk
Kannst du, oder sonst jemand, bitte erklären warum hier ein p-FET besser geeignet ist? Ich weiß, dass der p-FET durch eine Überzahl an Löchern "leitet" und dadurch einen größeren Widerstand bietet. Aber warum ist dieser hier besser geeignet? Inwiefern ist dieser einfacher nutzbar? Ich hab grad gesehen Max. Gate-Source Spannung ist 16 V :/. Dann werd ichs mal mit eine Z-Diode probiern. Danke! Lg
@ Athlon N/a (athlon) >"leitet" und dadurch einen größeren Widerstand bietet. Aber warum ist >dieser hier besser geeignet? Weil die Ansteuerung einfacher ist. Man kann das Gate einfach auf GND ziehen, fertig. Ein N-Kanal braucht hier eine Spannung von VCC+10V, die müsste man relativ aufwändig erzeugen. MfG Falk
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