Hallo alle miteinander. Ich möchte gerne mit den oben genannten ICs eine 8*8 Matrix aufbauen bei der jedes Pixel aus 4 superflux LEDs besteht. Die 4 LEDs eines Pixels werden in Reihe geschaltet, deshalb hatte ich 12V als Versorgungsspannung im Sinn. Der Controller und MAX7721 werden natürlich mit 5V betrieben. Da meine Kentnisse in der Elektronik nun wirklich nicht die besten sind hab ich zu diesem Aufbau eine Frage. Der MAX7721 wäre ja mit den Strömen und Spannungen heillos überfordert ( Rauchzeichen ). Reicht es, wenn ich die Signale des MAX7721 einfach über Transistoren entsprechend verstärke und auf 12V bringe? Welche Transistoren nehm ich da am besten? Bipolar oder Fet?
> Reicht es, wenn ich die Signale des MAX7721 einfach über > Transistoren entsprechend verstärke und auf 12V bringe? Ja. > Transistoren nehm ich da am besten? Eine Superflux-LED ist meist für 50mA ausgelegt, da sie nur 1/8 der Zeit leuchtet braucht man 400mA. Das kann ein ULN2803 schalten, aber leider nicht auf allen Kanälen gleichzeitig. Daherist es notwendig Einzeltransistoren zu nehmen, beispielsweise BC368. Er bekommt direkt die ca. 40mA, die der MAX7221 aus den SEG-Ausgängen liefert in die Basis. Segment Kathoden | 10R | SEG --|< BC368 |E GND Bei den Digits ist es schwieriger, dort muß aus 5V auch 12V gemacht werden. Mit Einzeltransistoren ist das eher aufwändig +12V | | 1k | | |S BC338 +---|I PMOSFET | | +5V ---|< +-- common Anode Digit |E DIGIT ---+ Der MOSFET muss 8*400mA=3,2 A schalten können, ein IRF7342 reicht gerade eben.
Hallo Mawin, vielen dank für deine ausführliche Antwort. Hilft mir gut weiter :)
Ist der 1 K Widerstand nicht nen bissel hoch? Kleinerer Widerstand = Fet schneller umladen!!!
Ähmm, das irritiert mich jetzt. Die Funktion wie ich sie bis jetzt verstanden habe: 1. An Digit wird GND angelegt ( high impedance wenn die Zeile gerade nicht aktiv ist ) 2. Dadurch fließt ein Strom von B nach E des BC338, der Transistor wird leitend 3. Das Gate des Fet liegt jetzt auch an GND und wird entladen 4. Der Fet wird dadurch leitend (ist ja ein P ) 5. Digit wir auf 5v gelegt, der Transistor sperrt und das Gate des Fet wird über den 1K Widerstand geladen. Dadurch wird der Fet hochohmig. Müsste doch so passen, oder?
> 3. Das Gate des Fet liegt jetzt auch an GND und wird entladen Nicht auf GND sondern auf ca. 4.8V und damit 7.2V unter 12V und damit deutlich über den -4.5V Ugs die der empfohlene MOSFET braucht um sicher eingeschaltet zu sein. > Müsste doch so passen, Ja, und 1k reicht, Hans könnte ja mal R*Cgate ausrechnen statt rumzuplappern.
Nach nen bissel suchen hab ich dann auch die entsprechende AppNote gefunden..... http://www.maxim-ic.com/app-notes/index.mvp/id/1196
Ok, R4 beim Segment Driver damit er auch garantiert ausschaltet könnte man hinzubauen.
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