Helle Matrix mit MAX7721/AS1107

Holger Gast #2517564
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Hallo alle miteinander.

Ich möchte gerne mit den oben genannten ICs eine 8*8 Matrix aufbauen bei 
der jedes Pixel aus 4 superflux LEDs besteht. Die 4 LEDs eines Pixels 
werden in Reihe geschaltet, deshalb hatte ich 12V als 
Versorgungsspannung im Sinn.
Der Controller und  MAX7721 werden natürlich mit 5V betrieben.
Da meine Kentnisse in der Elektronik nun wirklich nicht die besten sind 
hab ich zu diesem Aufbau eine Frage.
Der MAX7721 wäre ja mit den Strömen und Spannungen heillos überfordert ( 
Rauchzeichen ). Reicht es, wenn ich die Signale des MAX7721 einfach über 
Transistoren entsprechend verstärke und auf 12V bringe? Welche 
Transistoren nehm ich da am besten? Bipolar oder Fet?
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MaWin Gast #2517617
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> Reicht es, wenn ich die Signale des MAX7721 einfach über
> Transistoren entsprechend verstärke und auf 12V bringe?

Ja.

> Transistoren nehm ich da am besten?

Eine Superflux-LED ist meist für 50mA ausgelegt,
da sie nur 1/8 der Zeit leuchtet braucht man 400mA.

Das kann ein ULN2803 schalten, aber leider nicht auf allen Kanälen 
gleichzeitig. Daherist es notwendig Einzeltransistoren zu nehmen, 
beispielsweise BC368. Er bekommt direkt die ca. 40mA, die der MAX7221 
aus den SEG-Ausgängen liefert in die Basis.

    Segment Kathoden
       |
      10R
       |
SEG --|< BC368
       |E
      GND

Bei den Digits ist es schwieriger, dort muß aus 5V auch 12V gemacht 
werden. Mit Einzeltransistoren ist das eher aufwändig

          +12V
         |    |
        1k    |
         |    |S
 BC338   +---|I PMOSFET
         |    |
 +5V ---|<    +-- common Anode Digit
         |E
DIGIT ---+

Der MOSFET muss 8*400mA=3,2 A schalten können, ein IRF7342 reicht gerade 
eben.
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Holger Gast #2518178
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Ähmm, das irritiert mich jetzt. Die Funktion wie ich sie bis jetzt 
verstanden habe:
1. An Digit wird GND angelegt ( high impedance wenn die Zeile gerade 
nicht aktiv ist )
2. Dadurch fließt ein  Strom von B nach E des BC338, der Transistor wird 
leitend
3. Das Gate des Fet liegt jetzt auch an GND und wird entladen
4. Der Fet wird dadurch leitend (ist ja ein P )
5. Digit wir auf 5v gelegt, der Transistor sperrt und das Gate des Fet 
wird über den 1K Widerstand geladen. Dadurch wird der Fet hochohmig.

Müsste doch so passen, oder?
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MaWin Gast #2518197
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> 3. Das Gate des Fet liegt jetzt auch an GND und wird entladen

Nicht auf GND sondern auf ca. 4.8V und damit 7.2V unter 12V
und damit deutlich über den -4.5V Ugs die der empfohlene
MOSFET braucht um sicher eingeschaltet zu sein.

> Müsste doch so passen,

Ja, und 1k reicht,
Hans könnte ja mal R*Cgate ausrechnen statt rumzuplappern.
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