Hallo!
Habe ein NMOSFET über einen Gatewiderstand an einen ATtiny48
angeschlossen.
Zusätzlich kommt an den MOSFET noch ein Pulldown-Widerstand ans Gate.
Wenn ich den Pulldown direkt zwischen Gate und Gatewiderstand anbringe,
entsteht so doch ein ungewollter Spannungsteiler, oder etwa nicht?
Sollte ich den Pulldown deshalb nicht besser direkt zwischen MCU und
Gatewiderstand schalten?
Grüße
Das hier ein Spannungsteiler entsteht ist richtig.
Wenn das irgenwie relevant für Deine Schaltung ist, dann mach den
Pulldown vor den Gatewiderstand.
In der Regel ist Dein Gatewiderstand <100 Ohm und der Pulldown einige
xxkOhm groß, der Spannungsabfall ist also nur wenige mV groß.
Gruß
EGS_TI schrieb:> Sollte ich den Pulldown deshalb nicht besser direkt zwischen MCU und> Gatewiderstand schalten?
Ja, seh ich auch so.
Mach den Pulldown nicht zu klein, ich denke so 10k sind OK.
Mach den Pulldown aber auch nicht zu groß, manche µC's (ich kenne den
ATtiny48 nicht) haben eingebaute Pullup's!
Der Pulldown soll doch sicher dazu dienen, das der MOSFET nicht zufällig
schaltet, bevor das DDR-Register des ATtiny initialisiert wurde.
** Lötlackl schrieb:> Ich würde sagen, ist wurscht, den Pulldown brauchst Du nur, solange der> Tiny seine Port's noch nicht konfiguriert hat.
Und falls irgendwo ein kalte Lötstelle oder sonst eine Unterbrechung
auftritt. Und deshalb: möglichst direkt zwischen Source und Gate.
@Peter Mein Pulldown ist 10k und Gate 1k (bis jetzt).
Der Grund klingt plausibel. War so vorgegeben, allerdings ohne
Bauteilwerte.
Dann sollte ich also den Gatewiderstand etwas verkleinern..
Lothar Miller schrieb:> ** Lötlackl schrieb:>> Ich würde sagen, ist wurscht, den Pulldown brauchst Du nur, solange der>> Tiny seine Port's noch nicht konfiguriert hat.> Und falls irgendwo ein kalte Lötstelle oder sonst eine Unterbrechung> auftritt. Und deshalb: möglichst direkt zwischen Source und Gate.
Ah, danke! Super, dass man hier noch so viel dazulernen kann.
EGS_TI schrieb:> Mein Pulldown ist 10k und Gate 1k (bis jetzt).
Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum,
selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume.
Größer muss es nicht sein. 10k ist ok.
Bei f< 20kHz würde ich irgendwas zwischen 10R und 22R wählen. Darüber
hinaus ist ein Blick ins DB des Schalters auch empfehlenswert bezüglich
der Gateladungen.
Ingo
Ingo, worauf genau sollte man dann achten? Wäre toll wenn du mir ein
Stichwort geben könntest (oder auch mehr ;) ) . Über eine Erklärung
würde ich mich natürlich auch freuen.
Gatedriver schrieb:> Wenn das irgenwie relevant für Deine Schaltung ist, dann mach den> Pulldown vor den Gatewiderstand.
Dazu habe ich auch mal eine Frage an die Spezialisten hier : kann man
das wirklich problemlos so machen ?
Also der "klassische" Weg ist ja :
µC-Ausgang -> Vorwiderstand -> Gate und Widerstand nach Masse (Pulldown)
Kann ich das problemlos ändern in :
µC-Ausgang -> Widerstand nach Masse (Pulldown) und Vorwiderstand -> Gate
Was ist in dem Moment, wo der Mikrocontroller (z.B. ein Atmega) noch
nicht richtig initialisiert ist ? Ist das dann gut, wenn direkt Masse am
Pin anliegt ohne das der Vorwiderstand dazwischen ist ?
Ingo schrieb:> Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum,> selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume.
Was spricht gegen 0 Ohm, insbesondere beim statischen Schalten?
MfG Klaus
Klaus schrieb:> Ingo schrieb:>> Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum,>> selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume.>> Was spricht gegen 0 Ohm, insbesondere beim statischen Schalten?>> MfG Klaus
Im Moment des schaltens, wenn die Gatelapazität ungeladen ist fließt ein
massiver Strom meist im einstelligen Amperebereich. Das können nur die
wenigsten Portpins abhaben. Der Gatewiderstand begrenzt den Strom. Das
Laden / Entladen der Gatekapazität dauert dann länger und damit auch
das Schalten. Darum so klein wie möglich, so groß wie nötig um den Pin
nicht zu himmeln.
Peter schrieb:> fließt ein> massiver Strom meist im einstelligen Amperebereich. Das können nur die> wenigsten Portpins abhaben.
Nur dass die meisten Portpins 60..80 Ohm Kanalwiderstand (sprich:
Innenwiderstand) haben, zumindest bei AVRs. Das begrenzt den maximalen
Strom auf erträgliche Werte. Gatewiderstände an Controllerpins sind
somit Angstwiderstände.
Peter schrieb:> Klaus schrieb:>>> Ohne deine Schaltung näher zu kennen, 100R ist immer so das Maximum,>>> selbst bei statischem Schalten, also an und aus über lange Zeiträume.>> Was spricht gegen 0 Ohm, insbesondere beim statischen Schalten?> Im Moment des schaltens, wenn die Gatelapazität ungeladen ist fließt ein> massiver Strom meist im einstelligen Amperebereich. Das können nur die> wenigsten Portpins abhaben.
Ähm. Nein.
Portpins können soviel Strom auch gar nicht liefern. Typische CMOS-
Gegentaktausgänge haben so 10..30 Ohm Kanalwiderstand. Die begrenzen den
Strom schon ganz allein. Und daß sie dabei kurzfristig quasi auf einen
Kurzschluß arbeiten, stört auch nicht. Das ist ein ganz normaler
Betriebsfall. Sonst würden ja jegliche parasitären Kapazitäten die
Funktion jedweder Logikschaltung verhindern.
XL
Axel Schwenke schrieb:> Typische CMOS-Gegentaktausgänge haben so 10..30 Ohm Kanalwiderstand.> Die begrenzen den Strom schon ganz allein.
... auf max. 500 mA könnte man da noch ergänzen.
> Sonst würden ja jegliche parasitären Kapazitäten die Funktion jedweder> Logikschaltung verhindern.
Das wäre in der Kapazität ja auch nur ein Unterschied von einem Faktor
100 zu einem etwas solideren MOSFET.
>> Portpins können soviel Strom auch gar nicht liefern. Typische CMOS-> Gegentaktausgänge haben so 10..30 Ohm Kanalwiderstand. Die begrenzen den> Strom schon ganz allein.
Nur dödelt nicht jeder mit Arduino / AVR oder PIC rum. Ein wundervoller
Highspeedtreiber z.B. im FPGA hat da ganz andere Avancen ...
Knut Ballhause schrieb:> Nur dass die meisten Portpins 60..80 Ohm Kanalwiderstand (sprich:> Innenwiderstand) haben, zumindest bei AVRs. Das begrenzt den maximalen> Strom auf erträgliche Werte. Gatewiderstände an Controllerpins sind> somit Angstwiderstände.
... und dieser Innenwiderstand reicht auch aus, um das MOSFET-Gate
direkt mit dem Ausgangspin (z.B. beim Atmega328) zu verbinden ?
Manche nutzen ja gar einen 1k Vorwiderstand, was natürlich ein bissel
arg viel ist aber das hat vielleicht auch mit dem Spannungsteiler zu tun
(wenn man noch einen 10k Pulldown verwendet) sprich es müssen ja noch
ausreichend Volt am Gate anliegen.
Aber abgesehen davon dachte ich schon, dass man so Pi mal Daumen um die
100 Ohm zur Absicherung braucht und es somit nicht schaden kann,
zusätzlich noch einen Vorwiderstand von vielleicht 30 bis 50 Ohm
einzuplanen.
Braucht man nun einen zusätzlichen Vorwiderstand (wenn ja wie groß?), um
den Controller-Ausgang zu schützen oder kann man gleich einen Pullup
ranhängen und das Gate ?
Max schrieb:> Braucht man nun einen zusätzlichen Vorwiderstand (wenn ja wie groß?), um> den Controller-Ausgang zu schützen oder kann man gleich einen Pullup> ranhängen und das Gate ?
Nein, außer du hast eine Schaltung.
Sola schrieb:> Nein, außer du hast eine Schaltung.
Bei PWM wird so einiges geschaltet, also ja. Die Frage ist eben, wie man
den Vorwiderstand berechnet und wieviel Innenwiderstand man dann noch
abziehen kann.
@ Max (Gast)
>Braucht man nun einen zusätzlichen Vorwiderstand (wenn ja wie groß?), um>den Controller-Ausgang zu schützen
Nein.
Abschätzung:
1
P = U^2 * C * f (Ladeleistung)
Die wird in der IO-Zelle in Wärme umgesetzt. Bei einem kleinen IC ala
AVR & Co würde ich dort bestenfalls 10-100mW verbraten wollen (Pi mal
Daumen).
Mal rechnen.
PWM mit 1kHz und 10nF MOSFET-Gate Kapazität (schon recht viel) bei 5V
1
P = 5V^2 * 10nF * 1 kHz = 250µW.
Da ist noch VIEL Luft nach oben.
Wenn man höhere Frequenzen oder Kapazitäten treiben will, braucht man
einen MOSFET-Treiber, siehe MOSFET-Übersicht.
>oder kann man gleich einen Pullup>ranhängen und das Gate ?
Ja.