Streukapazität in Waferdurchkontaktierung

[Made M. (randomwireman)]

Hallo zusammen,

wir möchten Durchkontaktierungen (metallisierte vertikale Durchführung 
wie auf einer Leiterbahn) durch einen Siliziumwafer charakerisieren.
Wir würden gerne die Kapazität zwischen dem Metall und dem Substrat 
bestimmen. Im Anhang sieht man die Prinzipskizze des layouts.
Der Anschluss 'TSV-Kontakt' sitzt (TSV: Through Silicon Via) isoliert 
auf dem Substrat (Silizium) und ist mit dem Metall des TSV verbunden. 
Der Substratkontakt sitzt direkt auf dem Si und kontaktiert so das 
Substrat.
Nun meine Frage: Wenn ich mit dem LCR-Meter die Kapazität C1 messe, 
messe ich dann Streukapazitäten an C2 und C3 (deren zweiter Pol ja 
sozusagen in der Luft hängt)?.

Vielen Dank

RandomWireMan

[John D. (Gast)]

Nein, C2 und C3 misst du nicht mit. Aber durchaus die Kapazität zwischen 
dem Pad "TSV-Kontakt" und dem Substrat. Ich vermute der Layouter der 
Teststrukturen hat keine Strukturen für die Kurzschluss- und 
Leerlauf-Kalibrierung des LCR-Meters vorgesehen? Dann musst du halt die 
Kapazität aus der Prozess-Spezifikation entnehmen (oder aus dem 
extracted view) und abziehen.

Noch etwas: Überlege dir, ob du die Anschlüsse des LCR-Meters nicht doch 
besser umdrehst. LCR-High ist üblicherweise der niederohmige Ausgang und 
LCR-Low der empfindliche Eingang der Messbrücke. Und du willst sicher 
nicht den gesamten Wafer (möglicherweise inklusive Chuck) an letzterem 
hängen haben. Lies dazu bitte noch das Manual deines LCR-Meters.