Gast
#2651847
Hi Leute, einige MOSFETs wie der Si4410BDY haben eine Gate-Source Spannung von +-20V als absolutes Maximum angegeben. www.vishay.com/docs/72211/72211.pdf Eine Gate-Source Spannung von 0-22V fällt demnach weg, oder? Meine Frage ist also: Es gilt die Ober- und Untergrenze und nicht die Spannungsdifferenz, die angelegt wird oder täusche ich mich da? Kennt wer vielleicht einen geeigneten N-Kanal MOSFET, an den man eine Gate-Source-Spannung anlegen kann und welcher V_DS=30V und I_D<=3A kann? Danke und Gruß