Kurze Frage zu ltspice, MOSFET

[ltspice (Gast)]

Hallo Leute,

ich arbeite mich gerade etwas in (lt)spice ein und habe folgende Frage.

Angenommen ich nehme einen NMOS Transistor, zb. den IRFP2907, der hat 
Vto=4.15V, Ron=0.005 Ohm.

Da erwarte ich doch jetzt, dass wenn ich ich z.B. einen 50 Ohm 
Lastwiderstand gegen Masse schalte und am Gate 15 Volt alege, die ganze 
Spannung Vds (z.B. 24 Volt) am Widerstand abfällt, da der Transistor 
durchgeschaltet sein sollte. Ist in der Simulation aber nicht der Fall. 
Ganz im Gegenteil, es fällt ungefähr die Hälfte der Spannung über die 
Drain-Source Strecke ab.

Warum?

danke und viele Grüße!

[nicht "Gast" (Gast)]

Weil du dir so einen Source-Folger aufgebaut hast, welcher an Source 
etwas weniger als V_Gate-Vto (also etwa 10-11V) liefert.
Du musst Source auf Masse legen und deine Last in die Drain-Leitung!

[ltspice (Gast)]

Hm, habe mal einen Vds sweep gemacht und gesehen, dass der Transistor 
wohl in Sättigung geht bei 24 Volt (bzw schon ab ca 13 Volt).

Das heißt ab 13 Volt fällt zusätzlich auch wieder zunehmend mehr Vds an 
dem Transistor ab. Durch den Transistor fließt aber natürlich auch 
Strom. Also geht auch die Verlustleistung hoch. Wieso sollten 
Transistoren dann in Sättigung betrieben werden?

[ltspice (Gast)]

Okay, dann vergesst was ich oben geschrieben habe. Mit der Last im 
oberen Zweig funktioniert es natürlich.

Dankeschön ;)