Hallo! Ich arbeite an einer Schaltung, in der ein n-MOSFET dazu eingesetzt werden soll, sowohl positive als auch negative Drain-Source-Spannungen zu sperren. Der Strom braucht nur in eine Richtung fließen können. Bei MOSFETs sind ja Source und Bulk gewöhnlich verbunden, sodass für meine Anwendung die Body-Diode stört. Wäre das Bulk als 4. Anschluss am Bauteil herausgeführt, könnte ich dieses einfach auf das kleinste/negativste Potenzial legen, das in der Schaltung zu erwarten ist, aber ist ja leider bei 99,9% aller käuflich erwerbbaren FETs nicht der Fall. Als Alternative bietet es sich an, zwei MOSFETs antiseriell zu verbinden. Stellt sich die Frage: Verbinde ich beide Gates und a) beide Sources oder b) beide Drains ?
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