mit 2,7V schalten

Hi,

was spricht gegen ein Transitor o. Mosfet mit Basisvorwiderstand und
Z-Diode (Z2,7V) in Sperrrichtung ?

Gruß,

Dirk

"was spricht gegen ein Transitor o. Mosfet mit Basisvorwiderstand und
 Z-Diode (Z2,7V) in Sperrrichtung ? "

Das mit der Z-Diode versteh ich nicht.

Dachte an Mos-Fet weil kein Spannungsverlust entsteht
und leistungslos gesteuert .

Nur ob es welche gibt, die bei  2,7V schon schalten weiss ich nicht.


Kurt

>Dachte an Mos-Fet weil kein Spannungsverlust entsteht

Das ist ein großer Irrtum:
Bei einem MOSFET entsteht auch ein Spannunsgverlust, der direkt
proportional dem Strom ist und aufgrund des niedrigen
Einschaltwiderstands sehr klein ist.
Bei einem Transistor entsteht ein Spannungsverlust, der bei geringen
Strömen ähnlich niedrig liegen kann, als bei einem MOSFET.
Mit einem guten Transistor sind 100mV Spannunsgabfall bei einigen
Ampere kein Problem !

Bei hohen Spannungen/Strömen sind Transistoren daher besser als
MOSFETs, da ein Transistor meist ca. 1V Sättigungsspannung hat, während
bei einem MOSFET die Spannung wirklich nur von dessen
Einschaltwiderstand mal Strom abhängt.

Schau mal auf irgendein defektes Motherboard. Da findet sich immer ein
Logiclevel Mosfet der auch mit 3.3V arbeitet. Der kann dann auch 10-20A
schalten.

Olaf

Danke @Benedikt,

das mit dem R on  beim FET ist mir schon klar.

Der BC327 z.B.  hat einen "Spannungsverlust" von > 200 mV bei einigen
100 mA.
Wenn es welche gibt, die "nur" 100 mV  oder weniger  bei 100mA
produzieren dann ist es klar dass ein PNP  reinkommt.

Kurt

> Bei hohen Spannungen/Strömen sind Transistoren
> daher besser als MOSFETs

Nur mal so am Rande: auch MOSFETs sind Transistoren.

@Jens
Wenn alle hier im Forum statt Atmel AVR schreiben, dann schreibe auch
ich statt Transistor bipolar Transistor...

BJT würde reichen, im übrigen hinkt dein Vergleich. Kannst ja mal drüber
nachdenken :)

Bipolartransistoren haben prinzipbedingt immer eine Sättigungsspannung,
so daß auch bei kleinen Lasten etwa 100..300mV abfallen.

FETs sind dagegen fast ideale Widerstände, d.h. 10mV bei 1A (Ron =
10mOhm) sind überhaupt kein Problem, wenn man einen etwas stärkeren Typ
nimmt.


Peter

Hallo Peter

genau das hab ich mir auch gedacht.
Was mir fehlt, das ist zu wissen, ob es entsprechende "kleine" FETs
gibt die bei 2,7V meine 100 mA auch sauber schalten.

Kurt

Schau mal bei www.irf.com, die haben massenhaft und erhältlich sind sie
bei Conrad zu recht humanen Preisen.

@Peter Dannegger
Das war mal...
Bsp: FMMT617 von Zetex: Bei 0,1A hat dieser 8mV Sättigungsspannung
Bei 3A sind es 150mV.
Das übertrifft viele MOSFETs, daher geben die im Datenblatt auch einen
RDSon von etwa 50mOhm an.

und für die dies noch genauer wissen wollen...

Hi,


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Die Diode soll eine Zdiode 2,7V darstellen. Somit schaltet der
Transisotor erst bei >= 2,7V durch.

Zumindest hatte ich so deine Frage verstanden.

Gruß,

Dirk

Hallo @Dirk

hab mich wohl etwas "spartanisch" ausgedrückt.


Habe ein Bild angehängt.

Der Schalter S1 soll durch einen El. Schalter ersetzt und
vom AVR gesteuert werden.

Kurt

Hallo,
pnp-Transistor mit Emitter an Plus, Basis über Widerstand an µC und der
Kollektor schaltet bei Low an der Basis den Strom ein.
Arno

Hallo Arno,
guten Morgen.

Es geht darum, einen Schalter zu finden, der bei diesen Gegebenheiten
"optimal" arbeitet.

Möglichst wenig Spannungsabfall zwischen  C  und  E   (D und S)
leicht steuerbar (wenn möglich mit Plus an Basis (Gate))

Der Schalter darf auch dann nicht schalten wenn der AVR im Schlafmodus
ist (war).
Oder einen Reset durchläuft.

Dazu fällt mir gerade noch was ein.
Der Kanalwiderstand eines FETs könnte in meiner Schaltung auch positive
Wirkungen haben:
Und zwar eine Strombegrenzende Wirkung beim Zuschalten des
"Verbrauchers"(dieser hat sicherlich einen Elko und Cs zur Pufferung
drinnen).
Dadurch wird die Versorgungs-Batterie dann nicht so hart angeschaltet.

Kurt

Für eine Strombegrenzung sind Transistoren besser: Hier man man eine
m(mehr oder weniger) fest definierte Stromverstärkung.

Versuchs einfach mal mit einem BC327, und schau ob der Spannungsabfall
niedrig genug ist.
Einen P Kanal MOSFET für 2,7V zu finden, ist nämlich nicht einfach.
Noch schwerer ist es einen zu bekommen.

z.B. IRF7314:
0.098Ohm bei: -2.7V Vgs Id 1.5A
SO-8, 0.45€ bei R.
Pullup zwischen G und S für definiertes Sperren bei Reset.

Hallo Foren-ser

hab mal ein bisserl gemessen.

Anhang anbei


Kurt

Hallo @Kupfer Michi,
Danke.

Wenn ich das Datenblatt richtig gelesen hab, dann macht
der bei 1,5V Steuerspannung  und  2.5V Betriebsspannung
1 Amp  Last

und es sind zwei drinnen.

Kurt

Fig 1:
bei Vgs -1.5V ereichst du die Id Stromsättigung von 1A ab ca.Vds-0.5V
bei Vgs -2V und Vds -0.1V fliessen schon ca. 1A und du erreichst die
Sättigung von 4A bei Vds -0.8V. Je grösser Vgs um so niedriger RdsOn
und um so grösser der maximal erreichbare Sättigungsstrom (Pd max
beachten).

Also bei deinen 100mA und deiner Gate Steuerspannung von 2-2.5V vom AVR
solltest du sicher einen Spannungsabfall von weit unter 0.1V am FET
haben.

>und es sind zwei drinnen.
es gibt sicher noch viele andere aber das war der Beste/Billigste für
diesen Zweck den ich auch bei R. gefunden habe.

@Kupfer Michi,
leider sind entgegen der landläufigen Meinung (ich musste mich auch vor
kurzem belehren lassen) die Sättigungsbereiche bei FET und BJT nicht das
Gleiche. Der Sättigungsbereich des bipolaren Transistors entspricht dem
linearen Bereich des FET und der aktive Bereich ist der
Sättigungsbereich des FET.
Aber bei den Daten würde ich auch einen FET vorziehen, obwohl in dem
Bereich jedes Zehntel Volt, das an den 2,7V fehlt, die
Übertragungseigenschaften verschlechtern dürfte.

Kurt,

Du kannst Dir passende Transistoren auf den Hersteller-Seiten auch
selbst aussuchen, schön nach Anwendungsfall sortiert:

z.B.

a.)
http://www.semiconductors.philips.com/cgi-bin/catalog/catalog.pl/mms/219/282/27046/^30928

b.) http://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=catNavigateFrame

c.) http://www.zetex.com/3.0/b1-4.asp

>leider sind entgegen der landläufigen Meinung (ich musste mich auch
> vor kurzem belehren lassen) die Sättigungsbereiche bei FET und BJT
>nicht das Gleiche. Der Sättigungsbereich des bipolaren Transistors
>entspricht dem linearen Bereich des FET und der aktive Bereich ist
>der Sättigungsbereich des FET.

Ja, diese Bezeichnungen sind für mich auch immer wieder eine
unerschöpfliche Quelle der Verwirrung.
Ich bezog mich mit meinem "Sättigungsstrom" auf folgendes (Fig6,
Page7):

• Saturation region:
Constant current region. It is at the right side of VGS – VGS(th) = VDS
boundary line, and in this region, the drain current differs by the
gate–to-source voltage, not by the rain-to-source voltage. Here, the
draincurrent is called saturated.

Für eine alg. Übersicht über FETs...

Das ist doch genau das, was ich auch gesagt habe:
Ein durchgeschalteter MOSFET ist nicht gesättigt wie ein BJT, sondern
im ohmschen (linearen Bereich). Sättigungsbetrieb bedeutet, dass der
Drainstrom bei gegebener VGS mit einer Erhöhung von VDS nicht mehr
steigt, sondern eine Sättigung des Drainstrom eingetreten ist (Im Bild
als "active" bezeichnet).
Arno

>Das ist doch genau das, was ich auch gesagt habe

:-)
ich habs doch nur nochmal wiederholt um sicher zu gehen dass ICH es
richtig verstanden habe.