Hallo zusammen, Folgendes Problem: Ich brauche eine Endstufe, welche bei 10 MHz bipolar 100V (i.e. +-100V) ein Rechtecksignal ausgeben kann, und möglichst symmetrisch ist. Die Schaltung muss auch "ausgeschalten" werden können, sodass am Ausgang keine Spannung anliegt (hochohmig). Was ich bisher gebaut und getestet habe war mit einer normalen push-pull Endstufe mit einer pMOSFET und nMOSFET. Leider ist bei diesen Frequenzen der pMOSFET im Verglich zum nMOSFET zu unterschiedlich. Ich brauche deswegen etwas, dass für beide Halbwellen sehr ähnliche Schaltverhalten aufweist. Was ich jetzt probiere ist die Bootstrap Methode zu benutzen, damit ich 2x ein nMOSFET einsetzen kann. Hier ist die Schaltung: http://imgwiz.com/images/2013/01/24/ulIFN.png Der Ausgang wird aber nur zwischen 0V und 100V schwingen. Gibt es eine Möglichkeit, die untere Hälft irgendwie auf -100V zu versetzen, ohne dass es gleich den oberen NAND-Gatter zerstört?
Gast
#3013959
+-100V bei 10MHz (also 100ns Periode) bedeutet etwa 10ns Flanken mit 20kV/µs. Damit sind normale Leistungsmosfet überfordert. Rechne doch mal den Gateumladestrom für deine Fets aus. Und mit 5V am Gate wird das eh nie was. 220k bei 10 MHz, so ein Witzbold.
>220k bei 10 MHz, so ein Witzbold. Die FETs sind ja direkt am Logik-Baustein angeschlossen, nicht von diesem Widerstand betrieben. Die FETs die ich einsetze sind vom Typ IRLU110 http://www.vishay.com/docs/91323/91323.pdf
Gast
#3014063
> Die FETs sind ja direkt am Logik-Baustein angeschlossen, nicht von > diesem Widerstand betrieben. Aber an den 220k liegen die von M1 hochgesetzten 10MHz, und das geht nicht. > Die FETs die ich einsetze sind vom Typ IRLU110 Und, schon mal ins DB reingeschaut? Die Summe der Schaltzeiten bei 50V und niederohmiger Ansteuerung ist schon knapp 100ns.