LTSpice Problem: Einbinden eines Modells mit SiC Diode

such mal im Forum nach "Unknown subcircuit called in "

Beitrag "LTSPICE Fehlermeldung."
Beitrag "Einbinden eines Analogoptokopplers in LTspice"

Sarah schrieb:
> Hello!
>
> Ich habe bei der Yahoo LTSpice Gruppe eine library für Sic Schottky
> Dioden herunter geladen. Jetzt habe ich Probleme beim einbinden, schon
> alleine die test-Datei funktioniert nicht. Es kommt der Fehler: "Unknown
> subcircuit called in: X:U1:SD U1:ANO U1:KAT tj<:TJ> U1:Pow
> SCS_G5_650V_v1a fpar01=3.501E-01 fpar02=2.724E-01 fpar03=6.225E-01
> fpar04=7.379E-01"
> Weiß jemand Rat? Ich hab sonst nämlich leider keine Spice-Modelle für
> Sic Schottky Dioden im Internet gefunden...
>
> Vile Grüße!
> Sarah


Hab's probiert funktioniert bei mir (lib, asy und asc im selben 
Verzeichnis)

Hatte schon mal so ein Problem (aber nur auf einem Win7 Rechner) und 
musste die asy Datei komplett neu erstellen - dann ging's

Gruß Peter

Hallo Sarah,
Das Problem ist, daß PSPICE ^ als Exponent benutzt. LTspice benötigt 
dafür aber **.
Ich habe alle ^ mit ** in der Modell-Datei getauscht. Jetzt funktioniert 
es.

Gruß
Helmut

Model "u1:mnmos": Oxide thickness thinner than recommended for a level 3 
MOSFET.
Instance "m:u1:_q4": Length shorter than recommended for a level 3 
MOSFET.
Instance "m:u1:_q3": Length shorter than recommended for a level 3 
MOSFET.

Diese Meldungen oben darfst du ignorieren. Sie sind nur ein Hinweis 
daruf, dass der Entwickler ein Mosfet-Modell verwendet hat das zu einer 
Zeit entwickelt wurde als die Strukturbreiten größer als die hier 
verwendeten waren. Das kann dann in manchen Fällen zu ungenauen 
Ergebnissen führen da die Modell-gleichungen eben nur für größere Dicken 
oder Längen optimiert waren.

Generell sind viele Infineon-Modelle mit diesen unsäglichen 
Monstergleichungen definiert. Scshau mal in das Modell.
Die machen oft Ärger mit Konvergenzproblemen.

Du hast zwei "schlimme" Modelle kombiniert. Die Simulation lief bei mir 
nur, wenn ich eines dieser Modelle herausnehme. Außerdem solltest du nie 
Widerstände mit nano-Ohm in eine Simulation einbauen.

Wenn man Funktionen mit if(), abs() benutzt, dann hat man automatisch 
Sprungstellen in der Übertragungsfunktion. Wenn man das dann noch 
zusätzlich mit extrem hohen Verstärkungsfaktoren kombiniert, dann 
braucht man sich nicht wundern, wenn es Konvergenzprobleme gibt. Ich 
vermute stark, dass Infineon AMS Modelle geschrieben hat und die dann 
mit minimalem Aufwand nach SPICE konvergiert haben. Da hätten sie sich 
mal besser an den Grundelementen von SPICE bedient und ein paar Effekte 
weggelassen.


Auszug aus SiC-Diode:

.FUNC Vpn(V,T) {V-(fpar28-fpar29*T)}
.FUNC Ipn(I,V,T) 
{I0(T)*(exp((Vpn(V,T)-I*RS(T))/(fpar24*fpar16*TK(T)))-1)*fpar06}
GPN a k1 Value = {if (V(a,k)>0, Ipn(I(Vcurr),V(a,k),V(Tj,0)), 0)}
Rshunt a k 1E15
Vcurr k1 k DC=0
G_Pow 0 Pow VALUE = {LIMIT(abs(I(Vcurr)*(V(a,k))),0,100k) }