Verständnisfrage zu CMOS /Mosfet -Halbbrücken

wenn du die Brücke diskret aufbaust, dann musst du durch eine geschickte 
ansteuerung sicherstellen, dass nie beide MOSFETs leiten. Viele 
integrirte schaltungen haben eine solche sicherheitsschaltung bereits 
integriret

Halbbrückentreiber dienen dazu die MOSFETS korrekt anzusteuern

Danke erst mal für die Antwort.

Wie genau sieht denn jetzt aber der Aufbau von handelsüblichen Invertern 
aus? Z.B. vond em SN74HC04. Gibt es während des Schaltvorgangs einen 
kurzen Shoot-Through oder ist im Inverter noch eine Schutzschaltung 
vorhanden?

Hör auf Halbbrücken mit CMOS-Invertern zu vergleichen. Schaltplan ist 
der gleiche, allerdings hast du beim CMOS-Inverter einen CMOS-MOSFET und 
bei der Halbbrücke einen Leistungs-MOSFET. Der Unterschied besteht 
einfach gesagt darin, dass der CMOS-MOSFET einen hohen Rdson hat, sodass 
der Stromfluss ohnehin gering ist. Der Leistungs-MOSFET hat einen Rdson 
im mOhm Bereich, sodass z.B. durch eine Einschaltverzögerung (zwei 
antiparallele Diode und in einem Zweig ein Widerstand 1-2 Ohm) 
sichergestellt werden muss, dass es nicht dazu kommt das beide leiten. 
Im Inverter sind lediglich Schutzbeschaltungen gegen ESD vorhanden nicht 
aber gegen ein Shoot-Through

Okay, danke für diese hilfreiche Antwort!!
Kannst du evtl Literatur empfehlen, wo ich mich besser in das Thema 
einlesen kann?

Also wenn ich eine Normale Mosfet- Halbbrücke habe, dann nehme ich am 
Besten einen Halbbrücken Treiber um diese anzusteuern?

Hallo,

Literatur zu dem Thema stammt aus unterschiedlichen Disziplinen. Ich 
finde es wichtig alle Effekte am MOSFET zu verstehen !bevor! man 
Schaltungen entwickelt.

http://www.amazon.de/Halbleiter-Leistungsbauelemente-Eigenschaften-Zuverl%C3%A4ssigkeit-Josef-Lutz/dp/3540342060

Am einfachsten informierts du dich dann darüber, wie man eine Halbbrücke 
aufbaut. Dazu benötigst du passende "Gate-Treiber". Ein solcher 
Gatetreiber kann je nach MOSFET und Einsatzgebiet (Brückenspannung, 
Schaltfrequenz) im einfachsten Fall aus dem Ausgang eines uCs bestehen. 
Mit steigender Frequenz, Brückenspannung, MOSFET-Eingangskapazität 
steigt aber auch die benötigte Treiberleistung, da die Gates der MOSFETs 
umgeladen werden müssen. Es gibt dann integrierte Treiberbausteine, die 
dir einiges an Arbeit abnehmen (Totzeit, ...). Natürlich gibt es in 
Sachen Integration keine Grenze, sodass du auch komplette 
Halbbrücken-Leistungsmodule + Halbbrücken-Treiberbausteine bekommst. Wie 
gesagt solltest du aber mit dem Verständnis am Anfang der Integration 
und nicht am Ende anfangen.

Achso:

Hier das Layout eines kompletten CMOS-Inverters ohne ESD-Schutz:
http://www.ee.columbia.edu/~kinget/EE6314_F04/tutorials/inv_lay2.gif

Die meisten Halbbrücken benutzen zwei N-Kanal Mosfets - wegen dem 
geringeren Rdson. Dann muss man zum Ansteuern des oberen Mosfet mit 
bootstrap oder Wandlern eine höhere Spannung (als die Betriebsspannung) 
erzeugen und braucht level-shifter. Außerdem benötigen Leistungsmosfets 
hohe Ansteuer-Spitzenströme (einige Ampere) zum schnellen schalten. Das 
alles machen die Halfbridge driver.