IR2101 / MOSFET Driver

[Michael W. (Gast)]

Hallo !

Ich möchte hier endlich einmal verstehen, wie der IR2101 die fliegenden 
Potenziale (bis zu 600V über Masse) intern realisiert.

VS ist ja üblicherweise mit dem Source der High-Side verbunden, also 
muss das Gate mit einem Signal angesteuert werden, das ein paar Volt 
darüber liegt. Intern sehe ich, dass das Signal VHO über eine Push-Pull 
Endstufe aus VS bzw. VB gewonnen wird. an VS liegen also u.U. 600V, aber 
wie kommt die entsprechende Spannung (die ja ein paar Volt über VS 
liegen muss) auf VB?? Der Baustein wird auch nicht direkt mit 600V 
versorgt... Irgendwie steh ich auf der Leitung...

Kann mich da jemand bitte aufklären ?

Danke
Michael

[Stephan H. (stephan-)]

600V über Masse ist die Isolationsspannung.
Ein MOSFET stirbt meistens schon bei VGS über 18V
Er bezieht sich ja auf Source. Deswegen heißt die V ja auch Vgs.
Die 600V sind der Offset auf dem sich sein GND gegenüber dem GND der 
ges. Schaltung befinden darf. Da gehts nur um Spannungsfestigkeit 
/Überschläge.

[Michael W. (Gast)]

Danke für die Antwort. Das ist mir aber klar - nur wie macht das der 
IR2101? Wenn ich z.B. einen OP habe mit UB=+/-20V, dann kann ich ja 
ausgangsseitig kein Signal erzielen, das 600V über Masse liegt, sondern 
maximal eben +/-20V. Der IR2101 kann dies aber - irgendwie halt...und 
das wollte ich gerne wissen.

LG, Michael

[Michael W. (Gast)]

Kann es sein, dass das Potenzial durch den Kondensator zwischen VS und 
HB angehoben wird? Das würde mir plausibel erscheinen.

[flip (Gast)]

Die versorgung für die obere hälfte kommt aus dem Bootstrap kondensator. 
Der lädt sich, wenn der untere mosfet leitet. Damit hat man da oben die 
Gatespannung. Die signale werden intern weitergeleitet. Wie due signale 
intern da hoch kommen, konnte ich mir aber selbst noch nicht erklären. 
Der Bootstrap hat aber die Aufgabe beim H brücken ausgangszustand 0v zu 
laden und dann eben die versorgung über die Hohe 
leistungsstufenslpannung zu heben.

flip