Frage zu H-Brücke

Ich habe rein interessehalber mal eine H-Brücke unter LTSpice simuliert. 
Es wird aus einem PWM ein sinunsförmiger Strom erzeugt.

Was ich noch nie so ganz verstanden habe:

1)

Bei meiner induktiven Last wird der Strom (linear) größer, wenn M1 und 
M4 im Zyklus "ein" leiten. Wenn dann umgepolt wird, leiten M3 und M2. 
Der Strom muss aber in der gleichen Richtung zunächst in gleicher Größe 
weiterfließen (wegen der Induktivität), und nimmt linear ab (Zyklus 
"aus"). Ist es tatsächlich so, dass der Strom dann "verkehrt" durch die 
MOSFETs fließt? Man hört immer wieder, dass dann die intrinsische 
"Substratdiode" zum Tragen kommt - würde das auch funktionieren, wenn 
Substrat nicht mit Source verbunden wäre? Kann ein MOSFET dann 
eigentlich Ströme in beide Richtungen tragen? Oder gibt es sowas sowieso 
nicht?

Muss man in der Praxis dann extra Freilaufdioden nehmen, oder kann man 
sich auf die intrinsischen verlassen?

2)

Ich habe hier eine "CMOS" Halbbrücke (N-Kanal/P-Kanal) verwendet. Ich 
habe aber auch schon gesehen, dass in der HB zwei N-Kanal MOSFETs 
verwendet werden. Wann nimmt man nun was?

Vielen Dank,
michael