Hi, Mal ne Frage zu einer einfachen Schaltung: +5V ----R----- LED ------C (D) Transistor (S) E----GND B (G) Ich sehe immer wieder diese Schatlung mit LEDs oder auch Relais mit einem NPN-Bipolar-Transistor und Basisvorwiderstand. Warum macht man das ganze nicht mit nem N-Channel MOSFET ? Ich weiss, dass bipolare Transistoren ne höhrere Stromverstärkung haben und auch schneller schalten können, deswegen findet man die meistens als Treiber. Aber um ne LED (15mA) langsam ein- und auszuschalten braucht man das ja nicht. Dann könnte ich mir doch die 150uA=IB (wenn B=100 im Arbeitspunkt) auch sparen, wenn ich nen MOSFET nehme. Zumindest MOSFETs mit nem kleinen RDSON < VCEsat/IC < 0.2V/15mA = 13 Ohm und einem ausreichend kleinem VTH sollten doch energetisch besser sein. Bei Push/Pull läßt sich vielleicht sogar ein Widerstand einsparen (wenn man den Inrush mal wegläßt). Sind MOSFETs soviel teurer ? Oder überseh ich da was ? Gruß ka-long
Die sind einfach empfindlicher. Wenn das Gate mal zu hohe Spannung abkriegt (z.B. statische Aufladung), ist das Teil kaputt. Wenn die Schaltung drumherum das verhindert, spricht aber nichts dagegen. Trotzdem muß man dann halt beim Bestücken etwas vorsichtiger sein.
Bipolar ist bei diesen Anwendungen wesentlich unempfindlicher in der Handhabung. Besonders offene Gate Eingänge (gesockelter µc der erst später bestückt wird) mögen die FET sehr gerne und quittieren ihren Dienst vorzeitig. Auch brauchen FET etwas mehr Spannung zum Schalten, was bei 5V Vcc und LED als Last unproblematisch ist. Beim FET kann man sogar noch den Widerstand in der Basis/Gate Ansteuerung einsparen. Ist aber halt im empfindlicher während der Fertigung bzw. Teilbestückung.
Hi, Ist das dann so, dass die offenen Gateeingänge statisch aufgeladen werden und dann so eine hohe Spannung zustande kommt, dass das Gate durchschlägt und den Transistor zerstört ? Zum Schutz des Gates wäre dann eine Z-Diode oder Varistor notwendig....oder Pullup/Pulldown. Ich mein, sowas mit Z-Diode/Varistor integriert am Gate gibts doch schon ? (Bin gerade zu faul, auf die Suche zu gehn ;-) ) Was wär zum Schutz eigentlich besser ? Z-Diode oder Varistor ? Habe mal gehört, dass Varistoren nicht so "schnell" sind wie die Z-Dioden..... Gruß ka-long
@ka-long Es ging dir doch beim Ursprungsposting um Kosten und Nutzen. Und jetzt es von integrierten oder externen Schutzmechanismen die Rede. Dann muß man deine Ursprungsfrage mit einem klaren ja beantworten diskrete FET für deinen Anwendungszweck als LED Treiber für 15 mA sind viel teurer als Bipolar Huhnerfutter.
Also ich halte mosfets für ideal. die haben auch keine sättigungsspg., der spgabfall über D/S ist nur vom laststom abhängig, da ja der rsd on. konstant ist. es gibt "logikmosfets", die bei 1-2 volt voll durchsteuern. mindestens braucht man ein widerstand vom gate an masse, damit im reset des yC, das gate nicht in der luft hängt. ein gate reihenwiderstand braucht man, wenn man die einschaltzeit verzögern will(flankensteilhit), oder wenn mann große, das heist fets mit großer gatekapazität, an schwachen treibern hat, wie zb. ein cmosgater an einem 50A TYP. der bs170 im to92 gehäuse hat glaube ich 5ohm und kostet im grosshandel so ca. 5euro per hundert. eine z-diode ist ideal als schutz (zB.8-15v), ein varistor wäre viel zu träge, der kann auch relativ viel energi schlucken, die garnicht da ist. die zdiode braucht man eigentlich bei 5 volt anwendungen nicht. es stimmt schon, das fets sehr empfindlich sind, und einem auch eine noch so kleine überspannung nicht verzeihen, dennoch, erstmal eingelötet, gehen die eigentlich nie ko. wichtig ist beim handling, das man geerdet ist, zb. an der schutzerde.(Kupferdraht, blank ums handgelenk und an erde z.b.) ohne schuhe, also strümpfig, reicht meist auch bei teppichboden aus, um eine ausreichende erdung zu haben. pullis und turnschuhe sind eigentlich immer tödlich für fets. eigentlich sind alle cmos elektronikkomponenten nie mit plastikschuhen anzufassen,wie zb pc karten usw.
Hallöle, Ich danke Euch für Eure Kommentare. Werde dann jetzt mal auf MOSFET umstellen und schauen, ob mir mal welche kaputt gehen beim Handling. Werde das ganze nur mit Pulldown am Gate betreiben ohne Z-Diode. Und dann werde ich mal messen, ob meine LED Schaltung dadurch länger an einer Batterie lebt. g Wahrscheinlich 5 Minuten ;-))) Den Preis kann ich als Privatmann verschmerzen.... In wie weit jetzt MOSFETs teuer sind als BJTs kann ich noch nicht einschätzen, aber klar, jeder Cent zählt bei großen Stückzahlen. Bye ka-long
"Warum macht man das ganze nicht mit nem N-Channel MOSFET ?" Das ist reine Bequemlichkeit. Auch beim Schaltungsdesign gilt das Copy+Paste Prinzip, d.h. uralte Lösungen werden immer weiter mitgeschleppt. Ich nehme auch lieber FETs, das spart Strom und Bauteile. Meine Standard-FETs in 5V-Schaltungen sind BS170/BS250. Bei 3,3V muß man andere nehmen. Peter
Ich seh' da keinen Vorteil, für eine LED einen Fet zu benutzen. Sicher es ist toll, wenn man keine Sättigung hat, spart strom. Dafür gibts dann einen größeren Vorwiderstand? Also in dem ursprünglichen Beispiel sehe ich keinen Vorteil auf den bip. Transistor zu verzichten.
Wenn es billig und robust sein soll, ist ein BJT unschlagbar. Man kann den Bipolaren Transitor auch als Emitterfolger schalten, so dass man auch keinen Basiswiderstand benötigt. So ist selbst die Bauteilanzahl bei der Version mit dem Bipolar Transitor exakt gleich wie bei der Mosfet-Lösung.
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