Hi, (GND) --|>|--(X)--|>|-- (-10V) Fall 1) Baugleiche Dioden. Potential X ungewiss. Korrekt? Fall 2) Nicht baugleiche Dioden. Welcher Diodenparameter ist entscheidend? Kennlinie Vf versus If? Die Spannung liegt zum größten Teil über der Diode mit grösseren Vorwärtsspannung Vf. (Sprich an Si-Diode und nicht an Schottky) Korrekt? Könnt ihr mir irgendwelche Erfahrungen aus der Praxis mitgeben? Gruß, Daniel
@ Daniel (Gast) >(GND) --|>|--(X)--|>|-- (-10V) >Fall 1) Baugleiche Dioden. Potential X ungewiss. Korrekt? Ja. Aber das Vorzeichen der Spannung ist falsch. Hier wären die Dioden in Flußrichtung! >Fall 2) Nicht baugleiche Dioden. Welcher Diodenparameter ist >entscheidend? Kennlinie Vf versus If? Leckstrom über Sperrspannugn. Stark temperaturabhängig. >Die Spannung liegt zum größten Teil über der Diode mit grösseren >Vorwärtsspannung Vf. Nein. Siehe oben. >(Sprich an Si-Diode und nicht an Schottky) Wenn du von der Reihenschaltung einer Silizium und Schottkydiode redest, dann stimmt das, denn Shottkys haben hohe Sperrströme, je nach Typ und Temperatur bis in den mA Bereich!. >Könnt ihr mir irgendwelche Erfahrungen aus der Praxis mitgeben? Will man Dioden in Reihe schalten, muss man sie meist symetrieren. Statisch macht man das mit Widerständen, dynamisch mit Kondensatoren. Das alles kann man sich sparen, wenn man Avalanchedioden nutzt, die symetrieren sich allein.
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