Berechnung von Spannungsteiler in Transistorschaltung

#3322722
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Guten Morgen,

ich hänge mal wieder an einem kleinen Problem. Es ist zwar eigentlich 
nicht so schwer, aber ich stehe gerade total auf dem Schlauch.

Problematik:

Ich habe ein UND-Gatter (4082) der am Ausgang 4,95V und max 1mA liefern 
kann (laut Datenblatt). Ich muss aber am K1 24V und 100mA liefern 
können.

Meine Überlegung:

Ich brauche eine Verstärkerstufe bei der ich keine Phasendrehung habe. 
Darauf hin habe ich mir eine Skizze gemacht (siehe Anhang). Jetzt hänge 
ich irgendwie bei der Berechnung der 3 Widerstände. Kann mir vielleicht 
jemand einen Tipp geben wie ich da jetzt ran gehen könnte? Ist meine 
Überlegung erstmal vom Grund auf richtig?

***LG Pielo***
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Gast #3322748
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1. Dein Schaltplan steht aufm Kopf.

2. Die Schaltung funktioniert so nicht; die Basis von T2 ist mit seinem 
Emitter verbunden, da wird niemals ein Kollektorstrom fließen.

Außerdem; Warum so umständlich?
Du brauchst keine Verstärkerschaltung, da nur eine Last (Relais-Spule)
ein- und ausgeschalter werden soll und nicht ein Stom linear verstärkt 
werden muß.

Hier reicht also eine einfache Schaltstufe. Bein kleineren Strömen 
reicht ein NPN-Transistor, für 100mA wie hier nimmt man entweder einen 
Logic-Level MOSFET (N-Channel) oder einen Darlington-Transistor.

Einige Beispiele, wie man ein Relais mit Logikpegel ansteuert,
findest du hier: 
http://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern
#3322754
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3 Dinge funktionieren da nicht:
- der R3 ist ein Pulldown, dann musst Du aber den T2 am Collector 
zwischen Widerstand u Collector anschließen, sonst kommt T2 nie auf 
einen Pegel wo er durchschaltet
- wenn es nicht invertieren soll, muss T2 ein PNP sein, sonst folgt er 
einfach dem T1
- der Spannungsteiler ist falsch, R1 muss zwischen AND und Basis und 
nicht nach 5V

Mach Die dafür einfach eine Tabelle:
- wenn auf T1 eine 0 kommt (keine Spannung), dann....

Ansonsten berechnen sich die Widerständer so:
- T2 braucht bei sagen wir hfe von 100 (mind) 1mA zum durchschalten, 
evtl auch mehr (alles Datenblatt)
- wenn Schaltanwendung nimmt man etwas mehr, zB 3-5mA
- das muss also der Widerstand R3 einstellen

damit der T1 schaltet, hfe sei wieder 100 (echte Werte aus dem 
Datenblatt nehmen), braucht er also R1 so, dass dort 1/100stel oder mehr 
der o.g. 3-5ma fließen, lassen wir es aber sogar 0,5mA sein.
Den R3 brauchst gar nicht, der R1 muss nur den Rest der Spannung am 
Transistor nehmen, die der nicht braucht, also 5V - 0,7V = 4,3V und 
dabei 0,5 MA machen.
R=U/I, also 10kO.

Bin auch noch nicht so richtig gut mit Transen, aber so würde ich es 
angehen.
#3323368
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Danke für die hilfreichen Infos...

Ich habe mal den Artikel von Thosch etwas durch gearbeitet und habe ein 
wenig danach gerechnet.

Nun bin ich beim Absatz "Basiswiderstand bei älteren µC berechnen" 
hängen geblieben --> 
http://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand

Da ist eine Schaltung bei dem an der Basis einmal der Ausgang des 
AND-Gatters ist und seperat der Basiswiderstand mit einer 5V Spannung. 
dieses hab ich mal übernommen und im meine Problematik eingebunden, ohne 
das ich so richtig versteh wie dann am Basiseingang nicht immer h-Pegel 
anliegt wenn doch die 5V fast direkt anliegen. Aber vielleicht kann mir 
ja eine vom euch das kurz und bündisch erklären.

Im Anhang habe ich mal die Schaltung und meine Rechnung beigefügt. wie 
versprochen diesmal lesbarer.

***lg Pielo***
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#3323420
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Das liegt am Open Collector-Ausgang:
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/1206121.htm

Der ist auch einfach nur ein Transistor und braucht einen Pull-up um 
eine definierte Spannung zu liefern.

Ist der OC-Augang hochohmig, dann hast Du mit dem Widerstand nach 5V 
einen Spannungsteiler (5V - Rb - OC - GND), der die Basis Deines 
Transistors auf 5V legt.
Schaltet der OC durch geht Deine Basis auf 0V.
Gast #3323489
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Hallo Robert,

der 4082 ist ein LOGIK-CMOS-IC und gibt ein H (5V) oder L (0V) direkt 
aus. Daher ist hier nur ein Basisvorwiderstand notwendig. (R13 nicht 
notwendig, CMOS hätte ggf. open drain, nicht open collector).
RB berechniet sich, wenn man annimmt, dass B=400 vom Transsitor BC337 
(Ic = 800mA max.) ist und der 5-fache Basisstrom fließen soll, nach:

RB = (5V -0.7V) * 400
     ----------------
      IC  * 5

RB ist hier also ca. 3,4kOhm (gerechnet), einsetzen würde ich einen RB 
zwisch 1k und 2k2. Die max. 1mA würde ich nicht aus dem IC "quetschen" 
wollen. Bei einem Darligntontransistor würde ich einfach ein 10k 
Bassivorwiderstand nehmen.
Besser wäre allerdings ein MOSFET (BS170 o.ä.), da braucht man keinen 
Gatewiderstand.
Freilaufdiode 1N4007 o.ä., nicht 1N4148
#3323600
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DANKE DANKE DANKE, an ALLE die mir hier geholfen haben...

Den Spruch, "Viele Wege führen nach Rom" kenn ich ja, aber das ich mich 
so sehr hier festfresse hätte ich nicht gedacht. Ich habe es aber jetzt 
(lange hat es gedauert) verstanden (hoff ich). Wenn ich (wie in meinem 
Beispiel) einen Transistor mit kleinen Strömen wie z.B. aus einem IC 
oder einem µC schalten will, dann nehme ich einen MOSFET. Der macht 
quasi das gleiche wie ein (normaler)Transistor nur braucht viel weniger 
Basis(Gate)-strom. Seh ich das richtig?

Meine Schaltung sieht jetzt schlicht und einfach so aus, hab ich das so 
richtig verstanden. Oder brauche ich noch einen Widerstand zwischen Gate 
und Masse wie im folgenden Link beschrieben. Oder fällt der weg da ich 
ja mein IC-Ausgang nicht wie in einem µC auch als Eingang schalten kann?
--> http://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern

Warum würdest du einen MOSFET einem Darlingtontransistor vorziehen, nur 
wegen dem Basiswiderstand, oder hat der noch andere Vorteile?
Angehängte Dateien:
Gast #3323679
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Hallo Robert,

> Der macht quasi das gleiche wie ein (normaler)Transistor nur braucht viel
> weniger Basis(Gate)-strom. Seh ich das richtig?

Fast, Gatestrom = 0, da Feldeffekt genutzt wird
Aber: Es kann ein kleiner Gatewiderstand (10-100 Ohm) eingesetzt werden 
(techn. Details führen hier zu weit, es geht um die G-S und G-D 
Kapazität).

> Oder brauche ich noch einen Widerstand zwischen Gate und Masse wie im
> folgenden Link beschrieben.

Nein, kann weggelassen werden, da das Gate immer einen definierten 
Zustand ausgibt.

> Warum würdest du einen MOSFET einem Darlingtontransistor vorziehen

Modernes, vielseitiges Bauteil. Darlington geht natürlich auch (BC517).

Die letzte Schaltung sieht gut aus, aufbauen, testen!
#3323680
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Mosfets schalten mit Spannung nicht mit Strom.
Und Vorsicht: der BS170 ist eine Zicke und superempfindlich gegen 
falsche Beschaltung oder Ströme, die von einem nicht geerdeten Lötkolben 
kommen. Habe mir da mal ein paar zerschossen und dann stundenlang nach 
der Ursache gesucht...
Ich würde heute lieber einen BC337 nehmen, der ist robust.

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