Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik SiC-MOSFET: Rüchschluss vom Gehäusetemperatur auf Sperrschichttemperatur


von Hans (Gast)


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Hallo,
ich betreibe gerade einen SiC-MOSFET in einem Tiefsetzsteller und möchte 
gerne Rückschlüsse auf die Sperrschichttemperatur ziehen.
Messen kann ich jedoch nur die Gehäuseaußentemperatur sowie 
Eingangsstrom und Spannung des Tiefsetzstellers und dessen 
Ausgangsspannung.
Aus dem Datenblatt kenne ich den "Thermal Resistance from Junction to 
Case" =0,6 K/W.
Außerdem ist ein Maximalwert von 40 K/W für den "Thermal Resistance From 
Junction to Ambient" angegeben.
Die Außentemperatur beträgt 22°C.

Den thermischen Widerstand des Kühlkörpers kenne ich leider nicht.

Kann mir jemand helfen und sagen, wie ich die Sperrschichttemperatur 
annähernd berechnen kann?
Gibt es eine Möglichkeit von der Temperatur auf die Verlustleitung 
rückzuschießen?


Vielen Dank für Eure Hilfe.

von Falk B. (falk)


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Das gibt es viele Weg, mal einfach und nur grob, mal aufwändig dafür 
präzise.

Die Sperrschichttemperatur kann man IMHO recht genau bestimmen, wenn man 
die Temperatur direkt am Kühlkörper des MOSFETs messen kann. Dann kann 
man über die hoffentlich bekannte Verlustleistung und den 
Wärmewiderstand auf die Sperrschicht hochrechnen. Nachteil: Man muss an 
der zentralen Stelle, wo die Wärme auf den Kühlkörper übergeht, den 
Sensor anbringen. Nicht einfach.

Eine andere Methode arbeitet "rückwärts". Man bestimmt im realen Aufbau 
die Temperatur des Halbleitergehäuses, das kann ruhig der Kunststoffteil 
sein, indem man durch den MOSFET rückwärts eine definierte Leistung 
einspeist. Die Bodydiode verheizt diese. Damit kann man auch später im 
realen Aufbau die Korellation zwischen Temperatur und Verlustleistung 
herstellen. Will man dann noch exakt die Sperrschichttemperatur wissen, 
muss man die Flußspannung der Bodydiode messen. Dazu schaltet man kurz 
(<<1s) den  Laststrom zur Erwärmung auf einen konstanten Messtrom von 
beispielsweise 1mA um (Konstantstromquelle!) und misst die 
Flußspannung. Die kann man einfach über die thermische Kennlinie der 
Diode auf die Temperatur umrechnen, so um die -2mV/K. Das ist aber nur 
grob, denn jeder Dioden/MOSFET Typ hat einen andernen Koeffizienten.

Die Rückrechung auf die Temperatur kann man genau nur nach einer 
Kalibrierung machen. D.h. man legt das Bauteil in den Wärmeofen und 
lässt es temperieren und misst die Flussspanunung in Abhängigkeit der 
Umgebungstemperatur, natürlich auch wieder mit dem konstanten Messtrom. 
Über diese Kennlinie kann man sehr genau die Sperrschichttemperatur 
ermitteln.

Mit der Methode haben wir schon verschiedene Baugruppen auf ihr 
Kühlverhalten hin untersucht. Erst in den Klimaschrank, Kennlinie 
ausmessen. Dann inverse Speisung von aussen und Messung der 
Flussspannung. Damit kann man recht genau den realen 
Gesamtwärmewiderstand von der Sperrschicht der Leistungshalbleiter zur 
Rest der Welt messen.

MfG
Falk

von oszi40 (Gast)


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Die Temperatur des Kühlkörpers weist eine gewisse thermische Trägheit 
auf. Bevor Hans die Tempertur am KK gemessen hat könnte manches 
Siliziumkristall schon Sekunden vorher geschmolzen sein?

Eigentlich gibt es für jedes Teil ein Datenblatt? Das gilt natürlich 
nicht bei gefakten Teilen oder groben Mißbrauch.

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