Hallo,
ich habe vor, mir einen kapazitiven Transimpedanzwandler (Integrierer)
anzufertigen, wobei ich mir http://www.ti.com/lit/ds/symlink/ivc102.pdf
als Vorbild nehme. Momentan stehe ich allerdings vor einem Problem: In
der Prinzipskizze sind 2 elektronische Schalter eingezeichnet. Ich kann
mir aber momentan keinen Reim darauf machen, wie ich diese Schalter
umsetzen kann. Ein MOSFET benötigt ja immer eine gewisse Gate-Source
Spannung, um durchzuschalten. Je nach Signal an der Photodiode variiert
die Last jedoch deutlich (mal wird der Kondensator garnicht aufgeladen,
mal voll, etc.), weswegen ich nie eine definierte Gate-Source Spannung
habe(im schlimmsten Fall schaltet der MOSFET nicht durch), oder? Bei
einem Bipolartransistor habe ich das Problem, dass ich einen
Spannungsabfall über die Emitterstrecke erzeugte, was mir meine Messung
verkompliziert.
Das einzige was mir momentan einfällt, ist, den Transimpedanzwandler
z.B. mit 2,5 V zu betreiben und den MOSFET mit 5V, sodass ich in jedem
Fall mindestens 2,5V über die Gate-Source Strecke anliegen habe (ich
habe vor, den Transimpedanzwandler per 5V zu versorgen).
Fällt wem zufällig eine bessere Methode ein, um ein definiertes
Schließen/Öffnen ohne Spannungsabfall am Schalter zu realisieren (selbst
wenn keine Last vorhanden ist)?
