Hallo, ich habe vor, mir einen kapazitiven Transimpedanzwandler (Integrierer) anzufertigen, wobei ich mir http://www.ti.com/lit/ds/symlink/ivc102.pdf als Vorbild nehme. Momentan stehe ich allerdings vor einem Problem: In der Prinzipskizze sind 2 elektronische Schalter eingezeichnet. Ich kann mir aber momentan keinen Reim darauf machen, wie ich diese Schalter umsetzen kann. Ein MOSFET benötigt ja immer eine gewisse Gate-Source Spannung, um durchzuschalten. Je nach Signal an der Photodiode variiert die Last jedoch deutlich (mal wird der Kondensator garnicht aufgeladen, mal voll, etc.), weswegen ich nie eine definierte Gate-Source Spannung habe(im schlimmsten Fall schaltet der MOSFET nicht durch), oder? Bei einem Bipolartransistor habe ich das Problem, dass ich einen Spannungsabfall über die Emitterstrecke erzeugte, was mir meine Messung verkompliziert. Das einzige was mir momentan einfällt, ist, den Transimpedanzwandler z.B. mit 2,5 V zu betreiben und den MOSFET mit 5V, sodass ich in jedem Fall mindestens 2,5V über die Gate-Source Strecke anliegen habe (ich habe vor, den Transimpedanzwandler per 5V zu versorgen). Fällt wem zufällig eine bessere Methode ein, um ein definiertes Schließen/Öffnen ohne Spannungsabfall am Schalter zu realisieren (selbst wenn keine Last vorhanden ist)?
Eigentlich bezieht sich die Gatespannungs auf Substratpotential. Bei üblichen Mosfets ist aber intern Source mit Substrat verbunden, so daß man dann eher von Ugs spricht. Es gibt Mosfets mit herausgeführtem Substratanschluß, sind aber ziemlich selten, und mir fällt z.Zt. auch keiner ein :-(
Gerade wiedergefunden: BSS83 (ohne P hintendran !)
Ah stimmt! Super vielen Dank! Der sollte sogar recht gut für meine Zwecke funktionieren.
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