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Transistor in Übersteuerungszustand
Gast
#3500958
Hi, Meine Frage ist, wenn ich einen NPN-Transistor übersteuer, wird dann die Obere Sperrschicht (Kollektor / Basis) abgebaut? Ich habe den Physikalischen Vorgang noch nicht ganz verstanden. Hoffe auf Erklärung. MfG Sera u. Co
Gast
#3502206
Was meinst Du mit abgebaut ? Übersteuerung ist der Zustand in dem weniger Spannung über die CE Strecke abfällt als über die BE Strecke. Damit ist das Teil so mit Ladungsträgern geflutet das Du den nur noch sehr langsam zum Sperren bekommst. Das begrenzt man z.B. mit einer Schottky Diode zwischen B (A) und C (K). Siehe Low Power Schottky Logig. Die Spannungsfestigkeit zwischen B & C ist m.E. in keinster Weise beeinträchtigt was aber nichts zur Sache tut weil in dem Fall B > C ist. (alles NPN Betrachtung) Da wird nicht die Sperrschicht beeinflusst, sondern die Leitfähigkeit innerhalb des Transistors. Eine PN-Sperrschicht wird dadurch leitfähig, dass bei Durchlassstrom Ladungen durch die Grenzschicht P-N zwischen E und B fließen und auch die Umgebung der Grenzschicht leitfähig machen. Der Fachausdruck ist Trägerinjektion in die Umgebung der PN-Schicht. Wenn dann der Durchlassstrom plötzlich aufhört, hat die Umgebung der PN-Schicht noch immer die Leitfähigkeit, wie sie der große Durchlassstrom erzeugt hat. Es dauert dann einige µsec, vor Allem bei Übersteuerung der Basis, bis dann diese Leitfähigkeit abgebaut ist. Denn das Übersteuern der Basis bringt mehr Ladungsträger in das Innnere des Transistors als eigentlich notwendig ist. Antwort schreiben |
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