Transistor in Übersteuerungszustand

[Sera (Gast)]

Hi,
Meine Frage ist, wenn ich einen NPN-Transistor übersteuer, wird dann die 
Obere Sperrschicht (Kollektor / Basis) abgebaut?
Ich habe den Physikalischen Vorgang noch nicht ganz verstanden. Hoffe 
auf Erklärung.

MfG
Sera u. Co

[Michael K. (Gast)]

Was meinst Du mit abgebaut ?
Übersteuerung ist der Zustand in dem weniger Spannung über die CE 
Strecke abfällt als über die BE Strecke.
Damit ist das Teil so mit Ladungsträgern geflutet das Du den nur noch 
sehr langsam zum Sperren bekommst.

Das begrenzt man z.B. mit einer Schottky Diode zwischen B (A) und C (K).
Siehe Low Power Schottky Logig.

Die Spannungsfestigkeit zwischen B & C ist m.E. in keinster Weise 
beeinträchtigt was aber nichts zur Sache tut weil in dem Fall B > C ist.

(alles NPN Betrachtung)

[Peter R. (pnu)]

Da wird nicht die Sperrschicht beeinflusst, sondern die Leitfähigkeit 
innerhalb des Transistors.

Eine PN-Sperrschicht wird dadurch leitfähig, dass bei Durchlassstrom 
Ladungen durch die Grenzschicht P-N zwischen E und B fließen und auch 
die Umgebung der Grenzschicht leitfähig machen. Der Fachausdruck ist 
Trägerinjektion in die Umgebung der PN-Schicht.

Wenn dann der Durchlassstrom plötzlich aufhört, hat die Umgebung der 
PN-Schicht noch immer die Leitfähigkeit, wie sie der große 
Durchlassstrom erzeugt hat. Es dauert dann einige µsec, vor Allem bei 
Übersteuerung der Basis, bis dann diese Leitfähigkeit abgebaut ist. Denn 
das Übersteuern der Basis bringt mehr Ladungsträger in das Innnere des 
Transistors als eigentlich notwendig ist.