P-Mosfet mit Diode vor Source.

Hallo,

ich wurde heute gefragt, was eigentlich passiert, wenn bei einem CMOS 
Bauteil zwischen VCCPin und der einggsspannung eine Diode Klemmt.


Ansatz:

Wenn man an einem Nkanal MOSFET die Gatekapazität auflädt, und dann 
statt den Anschluss auf Masse zu legen,ihn Schweben lässt, dauert es ja 
einige sekunden, bis er wieder sperrt.

Wenn jetzt zwiachen VCC und Ue eine Diode lieg wieim Anhang, müsste sich 
ja eigentlich die Gatekapazität des P-Kanals nichtmehr entladen können, 
und ähnliche Phänomene auftreten. Nach aufbau mit zwei Mosfets, war aber 
klar, dass dem nicht so ist, woran liegt dass, dass der Tansistor trotz 
diode richtig arbeitet. Eigentlich, müsste sich das doch aufgrund der 
eingezeichneten kapazität, wie eine Bootstrapschaltung verhalten....

Die Frage kam in den Raum, da es ja Netzgeräte gibt (z.b. PC Netzteile, 
in welche kein Strom in entgegengesetzte Richtung hineinfließen kann, 
asymmetrisches Verhalten. Hier meine ich, dass sich die kleine 
Gatekapazität, dann aber in den zwischenkreis entladen kann.


Danke.