Hallo, ich möchte in LTSpice meine Schaltung mit den Bauteiltoleranzen simulieren. Mit Widerständen klappt das ja ganz einfach. Bei den Halbleitern muss ich da aber in meinen Modellen rumfummeln. Das ist soweit ok, nur finde ich die Formeln nicht mit denen LTSpice rechnet. Mir reichen da die einfachen Modelle; also bei der Diode mit den Parametern Ron, Roff, Vfwd, Vrev, Rrev, Ilimit,... Kann mir jemand weiterhelfen? Welche Formel wird hier von LTSpice für den Diodenstrom verwendet?
Hallo Benni, 1. Ron, Roff, Vfwd, Vrev, Rrev, Ilimit Diese Parameter gehören nicht zu klassischen Dioden-Modellen. Nimm doch die "wahren" SPICE-Modelle. 2. LTspice rechnet i. A. mit denen von Standard-SPICE vorgegebenen Formeln. Eine gute Quelle ist pspcref.pdf . Such das mal mit Google. Es gibt auch ein Halbleiterbuch das Mike immer als Referenz angibt. 2nd Edition of 'Semiconductor Device Modeling with SPICE' by Giuseppe Massobrio and Paolo Antognetti, McGraw Hill, 1993 Weitere gute Links: http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor#Theory_and_modeling http://www.allenhollister.com/allen/files/physics.pdf Gruß Helmut
Hallo Helmut, danke für die Antwort. Mein Problem mit den ´"wahren" Spice-Modellen ist halt deren komplexität. Ich möchte eigentlich nur Uf variieren und das wird da halt gleich aufwändig. ich schau mal wie weit ich mit den Modellen komme.
Wenn du den Parameter Is veränderst, dann ändert sich Uf (Verschiebung) der Kennlinie. Wenn du N veränderst, dann ändert sich die Steigung Id(Ud).
Super - danke. Das hat mir weitergeholfen. Kann ich bei einem Bipolartransitor auch so "einfach" die Sättigungsspannung (Uce) variieren?
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