IGBT richtige Wahl?

Jörg Gast #3628893
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Hallo zusammen,

ich möchte eine Elektronik bauen, die sowohl Phasenan- als auch 
Phasenabschnitt beherrscht. Jede Sinus Halbwelle soll also mehrfach zu- 
und abgeschaltet werden können. Die Leistung liegt bei 1200W bei einer 
Eingangsspannung von 120-230VAC. Ein einfacher Triac funktioniert also 
nicht, da ich ihn nicht abschalten kann.
Nach einigem Überlegen bin ich zu dem Schluss gekommen, dass IGBTs wohl 
am besten geeignet sind. Also zwei IGBTs in Reihe um die positiven und 
negativen Halbwellen durchzuschalten. Bevor ich mich nun um die 
Ansteuerung kümmere, wollte ich mal fragen, wie ihr das realisieren 
würdet? Gibt es geeignetere Bauteile?
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asdf Gast #3628956
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Warum nicht einen einzelnen IGBT zwischen eine Diodenbruecke? Dann musst 
Du nur eine Ansteuerung realisieren. Zugegeben, der Spannungsabfall und 
damit die Verlustleistung ist etwas groesser (in der Groessenordnung von 
10W).
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Falk B. #3628976
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@Jörg (Gast)

>und abgeschaltet werden können. Die Leistung liegt bei 1200W bei einer
>Eingangsspannung von 120-230VAC.

Ob das bei der Leistung zulässig ist? Was sagen die Netzbetreiber dazu?

>Nach einigem Überlegen bin ich zu dem Schluss gekommen, dass IGBTs wohl
>am besten geeignet sind.

Ja.

> Also zwei IGBTs in Reihe um die positiven und
>negativen Halbwellen durchzuschalten.

Kann man machen.

>würdet? Gibt es geeignetere Bauteile?

ICGBT ist bei Spannungen >200V dem MOSFET überlegen.

https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F
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Marc P. #3629205
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Jörg schrieb:
> Ein einfacher Triac funktioniert also
> nicht, da ich ihn nicht abschalten kann.

Ja, und ein IGBT schlaegt durch, wenn da mehr als nur ein winziges 
bisschen an Induktivitaet in der Last ist :(
MOSFETs verkraften das besser, wobei man bei der sog. (repetitive) 
Avalanche-Energie jetzt auch nicht zu grosse Erwartungen haben sollte. 
Manchmal findent man sogar 'ne Angabe dazu im Datenblatt.

Ich hoffe, dass deine Last rein ohmsch ist oder Du Dir Gedanken ueber 
passende Zusatzbeschaltung (RCD oder so) machst ;-)
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Falk B. #3629314
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@ Marc P. (marcvonwindscooting)

>Ja, und ein IGBT schlaegt durch, wenn da mehr als nur ein winziges
>bisschen an Induktivitaet in der Last ist :(

Wir werden alle sterben!

Mein Gott, dass man was zum Thema Überspannungsschutz machen muss, ist 
ja wohl logisch.

>MOSFETs verkraften das besser, wobei man bei der sog. (repetitive)
>Avalanche-Energie jetzt auch nicht zu grosse Erwartungen haben sollte.

EBEN! Man muss zusätzlich was machen, auch bei MOSFETs!

>Ich hoffe, dass deine Last rein ohmsch ist oder Du Dir Gedanken ueber
>passende Zusatzbeschaltung (RCD oder so) machst ;-)

Hauptsache geschätzt, gell?
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Chris Gast #3634132
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asdf schrieb:
> Warum nicht einen einzelnen IGBT zwischen eine Diodenbruecke? Dann musst
> Du nur eine Ansteuerung realisieren. Zugegeben, der Spannungsabfall und
> damit die Verlustleistung ist etwas groesser (in der Groessenordnung von
> 10W).
Die 10W bekomme ich schon nicht mehr entwärmt.

Schön, dass ich mit IGBTs scheinbar nicht ganz auf dem Holzweg bin. Dazu 
aber noch eine weitere Frage:

Marc P. schrieb:
> Ich hoffe, dass deine Last rein ohmsch ist oder Du Dir Gedanken ueber
> passende Zusatzbeschaltung (RCD oder so) machst ;-)
Leider habe ich eine äußerst induktive Last. Freilaufdioden sind wegen 
Wechselspannung ja nicht möglich. Was machst man da sonst? Ich habe nur 
gefunden, dass man eine TVS Diode zwischen Kollektor und Gate schaltet 
(Kathode auf Kollektor) sodass bei einem zu großen Spannungsanstieg 
durch den Freilaufstrom das Gate angehoben wird und der IGBT den Strom 
ableiten kann. Aber genügt das? Oder geht das noch besser?
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