Gast
#3662617
Hallo Community, ich habe mir für eine Ansteuerung eines Mosfets (z.B. IRF840, IRF530, IRF730,...) mit Mikrocontroller (z.B. Atmega8, 16, 32, ...) eine Schaltung (Im Anhang ein Bild der Schaltung )zusammengestellt. Es handelt sich dabei um eine Gegentaktendstufe. Diese soll zum einen die Spannung für das Gate von 5V des Mikrocontroller Pins auf 12V heraufsetzen, damit der FET möglichst niederohmig wird und zum anderen das genug Schaltvermögen vorhanden ist, um die Gatekapazität schnellst möglich um zu laden. Ich habe diese Gegentaktendstufe im Internet und auch in einigen Büchern gefunden und denke deshalb das die Schaltung so funktioniert und auch richtig ist, aber ich frage mich trotzdem warum der NPN Transistor T1 oben sitzt und der PNP Transistor T2 unten und nicht umgekehrt. Normalerweise schaltet man bei einem NPN Transistor doch die Last an den Kollektor und den Emiter direkt an die GND und beim PNP Transistor die Versorgunsspannung an den Emiter und die Last an den Kollektor. Demnach wäre es doch sinnvoller bei der Geentaktendstufe T1(NPN) mit dem Emiter an GND und Kollektor an das Gate zu schalten und T2(PNP) mit dem Emiter an die 12V und mit dem Kollektor dann ebenfalls ans Gate zu schalten oder nicht? Außerdem würde mich noch interessieren, ob man vor das Gate des des FET's noch einen Widerstand schalten sollte (z.B. 20 Ohm) oder einen Pulldown (z.B. 10k). Vielen Dank schon mal im Voraus
