High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler

OP #3677063
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Suche einen High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler
http://www.farnell.com/datasheets/298887.pdf

mit einer Integrierten dcdc Wandler der eine positive und negative 
Spannung im bezug auf meiner Drain vom mosfet bezieht
http://www.farnell.com/datasheets/1749233.pdf
OP #3677107
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Haha, stimmt...(:
naja, es geht sich um folgendes, dass ich für einen 3-Level 
Wechselrichter das 12x brauche...es muss doch eine günstigeren driver 
geben, der einen DCDC beinhaltet...
so was wie das:
>cree sic mosfet isolated gate driver datasheet
http://www.google.de/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&ved=0CD4QFjAA&url=http%3A%2F%2Fwww.cree.com%2F~%2Fmedia%2FFiles%2FCree%2FPower%2FApplication%2520Notes%2FCPWRAN10.pdf&ei=wY2MU8u8GOnk4QTW4oGABg&usg=AFQjCNGiyPkEXgOjnXYIRDITtDB8FZdnjA&bvm=bv.67720277,d.bGQ&cad=rja
OP #3677124
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Naja, da sich da die Drainspannung(Vdrain_1), anhand des Schaltzustandes 
sich einstellt...
(3-4FETs (der 12)sind je nach Schaltzustand in Reihe geschaltet)

ob diese Low oder Higside sind ist auch variant...

kurz um, die Spannung schwebt, folglich müssen vermutlich 12 DCDC 
verbaut werden...
die stehts relativ (dV_1-8V(VEE) und 
dV+15V(VCC))->(dV=Vdrain_1)einnehmen müssen...
Gast #3677241
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Ich nehme an, es geht immer um die gleiche Schaltung wie in diesem 
Thread hier:
Beitrag "Re: Schottky beam me up"

Dein gepostetes "Schaltbild" verdeutlicht mir nicht, warum die 
Gatespannungsversorgung variabel sein muss.
Wichtig ist, dass die Gatespannungen hoch/niedrig genug sind, um an 
allen FETs die Threshold zu erreichen, und andererseits im Limit dessen 
sind, was die Gates maximal vertragen. Das wird mit einer einzigen +/- 
Versorgung möglich sein.
Da deine FETs ja im Bereich von 20KHz-1MHz schalten werden, kannst du 
nicht davon ausgehen, dass ein Spannungsregler mit dieser 
Geschwindigkeit seine Spannung ändern kann.

Mehr und mehr beschleicht mich daher auch das Gefühl - wie bereits 
spess53 im anderen Thread meinte - dass in deinem Konzept irgendwie der 
Wurm drin ist.

Vielleicht kannst du ja mal die gesamte Schaltung hochladen, dann wird 
vielleicht klarer, auf was du hinaus willst.
OP #3677253
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@Easylife
> Da deine FETs ja im Bereich von 20KHz-1MHz schalten werden, kannst du
> nicht davon ausgehen, dass ein Spannungsregler mit dieser
> Geschwindigkeit seine Spannung ändern kann.

ja, das ist begründet, dass die Spannungsregler nicht nachkommen können, 
werden...dennoch muss es an sich ja machbar sein!!

http://www.infineon.com/dgdl/1EDIxxI12AF+%28preliminary%29.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a3043427ac3e201428e648a333734
Angehängte Dateien:
Gast #3677293
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Martin U. schrieb:
> dennoch muss es an sich ja machbar sein!!

dennoch total unsinnig.

Wie groß ist denn DC+ - DC-?
Wenn DC- der Bezugspunkt für deine FET-Steuerung ist, brauchst du eine 
einzige positive Spannung, die garantiert, dass der "oberste" FET 
durchschalten kann.
Die gleiche Spannung kann auch alle anderen FETs schalten.
Gast #3677482
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Naja, also FETs, die gerade 1V mehr aushalten, als deine Betriebspannung 
ist... 60V Typen sind nicht teurer.
Generell würde ich N-Ch nehmen (bessere Performance).

Jetzt verstehe ich auch das Problem mit der sich ändernden 
Gate-Spannung.
Wenn alles noch so im Bereich von <20V läge, ginge es mit einer 
Spannung.

Als Alternative zu den (extrem teuren) galvanisch getrennten 
Schaltreglern könnte eine einfache Chargepump in Betracht kommen.
In etwa wie hier:
http://lipo.ece.wisc.edu/2002pubs/2002_20.pdf (Fig. 4)

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