H-Brücke für Schrittmotoren: welche Spannungsreserve für die MOSFETs?

Hallo,

ich möchte Endstufen (Versorgung 70 V) für bipolare Schrittmotoren 
bauen, die mit max. 3,5 A Strom pro Phase betrieben werden 
(stromgesteuert).
Soll in meiner Hobby-CNC-Fräse zum Einsatz kommen.

Die Ansteuergeschichte für die MOSFETs mache ich mit dem HIP4082. Ich 
hätte eine Stange N-Kanal-MOSFETs vom Typ IPP80CN10NG von Infineon da. 
Die haben laut Datenblatt eine "Drain-source breakdown voltage" von 
"min. 100V".
Schön an diesen ist die geringe Gate Charge. Der RDSon ist auch passabel 
für die geplanten Ströme. Habe eh genug Platz für Kühlkörper.

Ich finde nur die max. Spannung von 100 V etwas knapp für 70 V 
Versorgungsspannung, aber andererseits sind ja bei der H-Brücke, selbst 
wenn durch einen Fehler keiner der Mosfets angesteuert wird, immer die 
vier Body-Dioden vorhanden. D.h. die Spannung an den Mosfets kann nie 
größer als 70 V und nie kleiner als 0 V werden (Spannungsabfälle an den 
Dioden mal vernachlässigt).

Mir ist klar, dass es auch noch parasitäre induktivitäten gibt. Aber ob 
da mehr als 30 V "entstehen? Ich glaube nicht.

Meint ihr, ich kann die 100V-Mosfets verwenden?
Oder sollte ich doch lieber etwas Geld in die Hand nehmen und 24 Stück 
(3 Achsen mit je zwei H-Brücken) Mosfets kaufen, die z.B. 150 V oder 200 
V abkönnen?

Gruß
Third-Eye