wie/warum altert Flash und (E)EPROM Speicher?

Weil durch das Schreiben/Löschen der Bytes Elektronen durch eine
Isolierung auf ein floatendes Gate getunnelt werden müssen, welches mit
je 1 Speicherzelle verbunden ist. Dadurch wird die Isolation nach und
nach "porös" und Elektronen können zurückfließen, wodurch der
Speicher seine Bytes vergißt. Die oft geschriebenen Bytes gehen vor den
nicht so oft geschriebenen kaputt.

sorry, André, habe forensuche vorher benutzt, aber nur was allgemeines
zur bauteilalterung gefunden... vllt. kannst du nächstes mal ja
trotzdem den link noch hinzufügen...

danke TravelRec. sowas ähnliches hatte ich mittlerweile noch irgendwo
gelesen.
stimmt es, dass diese "alterung" eher beim schreiben geschieht, da
dort mehr energie aufgewendet wird?
und ist der prozess bei EPROM, EEPROM und Flash der gleiche? wie ist
dies bei MRAM und FRAM? und zuletzt: warum ist dies nicht bei SRAM und
DRAM der fall?

wäre schön, wenn da noch jemand etwas wüsste... danke...

Grundsätzlich verwenden EPROM, EEPROM und Flash die gleiche bzw. eng
verwandte Technik über einen Floating Gate Transistor (=> google). Der
Inhalt altert auch. Die Ladung auf dem Gate bleibt nicht ewig erhalten.
Wer mehr wissen will gewinnt einen Ausflug in die Quantenmechanik.

SRAM speichern im Schaltzustand von Transistoren. Lebensdauer des
Inhalts, mit Strom, ist begrenzt durch radioaktive Strahlung, Defekte
usw. Ohne Strom: Null.

DRAM speichern in einem Kondensator. Lebensdauer des Inhalts, mit und
ohne Strom: Millisekunden bis Sekunden.

Bei EPROM, EEPROM und Flash geht das Gate nur bei Schreiben und Löschen
zum Deubel - beim Lesen nicht. Von "altern" kann also nicht unbedingt
die Rede sein. Je öfter geschrieben / gelöscht wird, desto schneller
futsch. Die Daten selbst leben materialbedingt zwischen 20 und 200
Jahre lang, wenn nix passiert, was sie daran hindert.