Moin, ich hätte eine Frage zum Mittelpunktpotential einer Halbbrücke beim Vollbrücken-Wechselrichter. Ich habe im Anhang mal die LT-Spice-Schaltung angehangen. Der Wechselrichter schaltet versetzt, also Schalter oben links ist gleichzeitig mit dem Schalter unten rechts an usw. Die Gatetreiber haben eine konstante, interne Totzeit sodass im Umschaltvorgang zwischenzeitlich 0V über der Last anliegen. Jetzt interessiert mich das Potential beider Halbbrücken-Mittelpunkte beim Umschalten. Bei der Simulation mit idealen Schaltern liegt das Potential beider Mittelpunkte auf 0.5*Uein, in diesem Fall 165V. In der Simulation mit realen Schaltern liegt das Potential bei ca.140V. Messe ich selbiges Potential auf der Testplatine liegt das Potential sogar nur bei 120V. Woher kommt den dieser Unterschied? Hängt es mit den Schaltzeiten der IGBTs zusammen (HS-IGBT schneller abgeschaltet?)?. MfG
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