Mittelpunktpotential Halbbrücke bzw. Wechselrichter 1-Phasig

Moin,

ich hätte eine Frage zum Mittelpunktpotential einer Halbbrücke beim 
Vollbrücken-Wechselrichter. Ich habe im Anhang mal die 
LT-Spice-Schaltung angehangen.

Der Wechselrichter schaltet versetzt, also Schalter oben links ist 
gleichzeitig mit dem Schalter unten rechts an usw. Die Gatetreiber haben 
eine konstante, interne Totzeit sodass im Umschaltvorgang 
zwischenzeitlich 0V über der Last anliegen. Jetzt interessiert mich das 
Potential beider Halbbrücken-Mittelpunkte beim Umschalten. Bei der 
Simulation mit idealen Schaltern liegt das Potential beider Mittelpunkte 
auf 0.5*Uein, in diesem Fall 165V. In der Simulation mit realen 
Schaltern liegt das Potential bei ca.140V. Messe ich selbiges Potential 
auf der Testplatine liegt das Potential sogar nur bei 120V. Woher kommt 
den dieser Unterschied? Hängt es mit den Schaltzeiten der IGBTs zusammen 
(HS-IGBT schneller abgeschaltet?)?.

MfG