Verpolschutz mit N-Kanal Fet

Die Body-Diode wirkt ja wie eine normale Diode.
Allerdings: bei 0.2A und 0.5V Flussspannung tippe ich eher auf eine 
Schottky-Diode, als auf einen FET.

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfs3306pbf.pdf
Die Body-Diode ist recht gut spezifiziert. Wahrscheinlich wird die 
deshalb einfach verwendet. Auch wenn sie "parasitär" ist.

Gate nicht angeschlossen? Seltsam, so ein hochohmiges Gate fängt doch 
alle Arten von Störungen ein. Reiner Zufall, ob der Mosfet bei verpoltem 
Eingang leitet.

Ich habe auf der gesamten Leiterplatte keine Verbindung zum Gate 
gefunden.
Falls eine existieren sollte müsste ich ja eine Spannung messen können, 
oder?

Es handelt sich definitiv um dieses Bauteil
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb3306gpbf.pdf

Welchen Vorteil oder Grund könnte es geben statt einer richtigen Diode 
einen Fet mit unbeschalteten Gate als Diode zu missbrauchen?

"Ich habe hier ein Akku Ladegerät aus dem Modellbaubereich welches eine
Eingangsspannung von bis zu 50V erlaubt."

Kannst du ein Photo von dieser Platinen posten?

Das Gerät wird unter der Marke Junsi verkauft, vielleicht ist das 
einigen ein Begriff.
Es verfügt über zwei Kanäle. Die beiden Kanäle scheinen auf den ersten 
Blick identisch aufgebaut zu sein.
Pro Kanal sind je vier N-Kanal FET IRFB3306GPbF sowie ein N-Kanal FET 
IRF3205 verbaut.
Drei von den IRFB3306 sowie der IRF3205 werden über einen Treiber 
angesteuert. Das Gehäuse ist abgeschliffen. Ist ein SO16 Gehäuse.

Welcher Typ könnte das sein?

Außerdem ist ein STM32 Prozessor drauf, auch abgeschliffen aber 
vermutlich ein F3 oder F4. Gehäuse ist ein LQFP100.