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LTSpice MOSFET-Simulation - Steilheit einstellen
Gast
#4251309
Hallo... Bei den Vorbereitungen für die nächste Klausur muss ich Ersatzschaltbilder von Mosfets berechnen. Nun würde ich diese gern in LTSpice nachbilden um zu sehen ob meine Ergebnisse stimmen. Mir stellt sich allerdings die Frage wie ich denn den Parameter gm für die Steilheit angeben kann. Die Stromquell in dem Ersatzschaltbild liefert ja gm*UGS an Strom. Kann mir hierbei jemand helfen? MfG Es gibt in Spice u.a. lineare spannungsgesteuerte Stromquellen (G-Quellen), die als Parameter das Verhältnis von Ausgangsstrom zu Eingangsspannung haben. Dort trägst du die Steilheit ein. Mit dem Parameter Kp und Vto kommst du schon sehr weit. Formel für den gesättigten Bereich: Idrain = (W/L)*(KP/2)*(1+LAMBDA*Vds)·(Vgs-Vto)^2 Die Defaultwerte für W, L und Lambda sind W/L = 1 LAMBDA = 0 Idalisiert: Idrain = KP/2*(Vgs-Vto)^2 gm = dId/dUgs = Kp*(Vgs-Vto) .model MYMOS NMOS(Kp=10m Vto=2) Wenn man natürlich nur idealisiert mit einer Steilheit arbeiten will, dann kann man die spannungsgesteuerte Stromquelle G nehmen.
Gast
#4251630
Super! Danek für die Antworten. Ich denke mir reicht die G-Quelle. Also als Parameter einfach gm eingetragen. Und was bewirkt eigentlich die Spannung an der Stromquelle? Ist das einfach nur ein Faktor für gm ?? > Und was bewirkt eigentlich
die Spannung an der Stromquelle? Ist das einfach nur ein Faktor für gm?
I = (U+ - U-)*gm
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