Frage zu NAND-Flash

Hallo

ich möchte ein NAND-Flash einsetzen. Ich denke dass ich dazu ein 
Filesystem wie YAFFS etc. benutzen werde. Jetzt habe ich aber noch im 
Datenblatt eine Angabe entdeckt, welche mir unklar ist. Und zwar heisst 
es, dass man maximal 4 "Page Program" Operationen hintereinander 
ausführen darf. In der Tabelle, welche ich angehängt habe, wird dies 
nochmals aufgeführt. Ausserdem heisst es da noch: Main + Spare. Heisst 
das

a) dass ich viermal die Main-Area programmieren darf UND zusätzlich 
viermal die Spare-Area, oder
b) bedeutet es, dass ich bei einer Page genau 4 Program-Operationen 
durchführen kann, also z.B. zweimal in der Main Area und zweimal in der 
Spare Area?

Was geschieht, wenn ich beim 4. mal schreiben herausfinde, dass der 
Block in der zwischenzeit defekt gegangen ist? Dann müsste ich ja die 
Bad Block Mark setzen, aber das wäre ja dann ein 5. Schreibvorgang, der 
ja angeblich nicht möglich ist.

Könnt ihr mir da ein wenig weiter helfen?