Transistor vor Rückstrom schützen

[bipo (Gast)]

Hallo,

im dse-faq ist folgende Schaltung enthalten:

 --------------------------------------------------+------+
                                                   |      |
                                           +-------(-----|< T2
                                           |       |      |E
                                 ----------+------|< T1   |
                                                   |E     |
                                           +--4k7--+      |
                                           |       |      |
                                           +--4k7--(------+
                                           |       |A     |A
                                           |     Diode  Diode
                                           |       |K     |K
                                  ---------(---+---(--+   |
                                           |   |   |  |   |
                                           |   +-R-+  +-R-+
                                           |       |      |
                                           |       Rs     Rs
                                           |       |      |
 --+-|<|--+---(--+----+---(--+-------------(---+---+------+--o
   |          |                            |   |   |K
   +---------------------------------------+   C Diode    Ausgang
  -VCC        R4                               |   |A
 -------------(--------------------------------+---+-Sich-+--o
              |                                           |
              +-------------------------------------------+

Hierbei werden Dioden zwischen T1,T2 und Rs genutzt, um die Transistoren 
vor Rückstrom zu schützen. Allerdings führt dies doch zu einem 
Spannungsabfall im Normalbetrieb und einer Laufzeitverzögerung aufgrund 
eines zusätzlichen Bauteils im Strompfad der Transistoren. Wäre es nicht 
besser, wenn man die Dioden parallel zu den Transistoren in Sperrichtung 
einbauen würde? Also ungefähr so:

 --------------------------------------------------+------+
                                                   |      |
                                                   |      |K
                                 ----------+------|< T1  Diode
                                                   |E     |A
                                           +--4k7--+      |
                                           |       +------+
                                           |       |
                                  ---------(---+   |
                                           |   |   |
                                           |   +-R-+
                                           |       |
                                           |       Rs
                                           |       |
 --+-|<|--+---(--+----+---(--+-------------(---+---+---------o
   |          |                            |   |   |K
   +---------------------------------------+   C Diode    Ausgang
  -VCC        R4                               |   |A
 -------------(--------------------------------+---+-Sich-+--o
              |                                           |
              +-------------------------------------------+


Oder entstehen hierdurch andere unerwünschte Effekte?

Danke schonmal für eure Antworten.

mfg

[Michael B. (laberkopp)]

Man leitet dann aber die höhere Spannung am Ausgang auf den 
Netzteileingang um, wo normalerweise der Siebelko und ICs mit begrenzter 
Spannungsfestigkeit angeschlossen sind (die Widerstände R sind hochohmig 
genug damit dort hinen kein zerstörerischer Strom fliesst)

Klar, auch Dioden haben einen begrenzte Rückwärtsspannung, aber es gäbe 
da doch deutlich höhere Werte.

Einen Nachteil bringen die Dioden in Leitrichtung nicht wirklich, sie 
sind nicht langsam, weil sie gar nicht schalten und der Spannungsabfall 
wird von der Regelschaltung kompensiert, Bloss die Eingangsspannung vom 
Siebelko muss 0.7V höher sein.