Basiswiderstand steigt mit sinkender Basisweite

[Armer Student (Gast)]

Hallo!

In meinen Aufzeichnungen steht, dass mit sinkender Basisweite der
Basiswiderstand eines Bipolartransistors steigt. Der Dozent hat das
letztes Mal auch wieder gesagt, und ich weiß verdammt nochmal nicht
warum... In "Elektronische Bauelemente" vom Reisch find ich dazu nix
und auch nicht in "Hl-Schaltungstechnik" vom Tietze. Kann mir das
jemand erklären?

Ciao
Dennis

[Daniel (Gast)]

Hallo,

ganz einfach gesprochen (ich will mich jetzt nicht wieder näher damit
befassen) : Die Basisweite bestimmt die wirksame Querschnittsfläche
mit, durch die Elektronnen hindurchströmen. Nimmt die Basisweite ab,
wird auch die Querschnittsfläche (A) kleiner.

Das kann man jetzt vergleichen mit dem Gesetz für den Widerstandswert
:
R = rho * l / A

Der ohm'sche Widerstand bestimmt sich aus einer spezifishen
Materialkonstante rho, der Länge des Objekts l und dessen
Querschnittsfläche A. Nimmt hier A ab, dann wird R größer.

Natürlich ist das gezeigte Gesetz eine starke Vereinfachung (hohmgen
Durchströmung, ...). Für den Halbleiter gelten aber entsprechende
Verhältnisse und damit auch Dein Wisssen über den BiPoT ;-).

Alle Klarheiten beseitigt ?

Mfg, Daniel.

[Unbekannter (Gast)]

Ich würde es mal so erklären:

Um eine hohe Stromverstärkung beta zu erhalten muss die Basis möglichst
schmal sein. Im Kleinsignalmodell ist die Steilheit gm = IC0/Vt. (Man
versucht natürlich eine Schaltung zu entwickeln, bei der der
Arbeitspunkt möglichst unabhängig von beta ist.)
Nun stell dir vor du hast zwei Schaltungen: Eine mit breiter Basis und
daher kleinerem beta und eine mit schmaler Basis und grossem beta.
Durch die Beschaltung ist der Arbeitspunkt, also IC0, bei beiden
gleich. Damit ist auch die Steilheit gm gleich. Der Basiswiderstand rBE
= beta/gm wird durch das grössere beta nun auch grösser.

[Armer Student (Gast)]

Vielen Dank! Hab's kapiert. Ihr habt mir SEHR geholfen!

Schönen Tag noch
Dennis