Hallo! In meinen Aufzeichnungen steht, dass mit sinkender Basisweite der Basiswiderstand eines Bipolartransistors steigt. Der Dozent hat das letztes Mal auch wieder gesagt, und ich weiß verdammt nochmal nicht warum... In "Elektronische Bauelemente" vom Reisch find ich dazu nix und auch nicht in "Hl-Schaltungstechnik" vom Tietze. Kann mir das jemand erklären? Ciao Dennis
Hallo, ganz einfach gesprochen (ich will mich jetzt nicht wieder näher damit befassen) : Die Basisweite bestimmt die wirksame Querschnittsfläche mit, durch die Elektronnen hindurchströmen. Nimmt die Basisweite ab, wird auch die Querschnittsfläche (A) kleiner. Das kann man jetzt vergleichen mit dem Gesetz für den Widerstandswert : R = rho * l / A Der ohm'sche Widerstand bestimmt sich aus einer spezifishen Materialkonstante rho, der Länge des Objekts l und dessen Querschnittsfläche A. Nimmt hier A ab, dann wird R größer. Natürlich ist das gezeigte Gesetz eine starke Vereinfachung (hohmgen Durchströmung, ...). Für den Halbleiter gelten aber entsprechende Verhältnisse und damit auch Dein Wisssen über den BiPoT ;-). Alle Klarheiten beseitigt ? Mfg, Daniel.
Ich würde es mal so erklären: Um eine hohe Stromverstärkung beta zu erhalten muss die Basis möglichst schmal sein. Im Kleinsignalmodell ist die Steilheit gm = IC0/Vt. (Man versucht natürlich eine Schaltung zu entwickeln, bei der der Arbeitspunkt möglichst unabhängig von beta ist.) Nun stell dir vor du hast zwei Schaltungen: Eine mit breiter Basis und daher kleinerem beta und eine mit schmaler Basis und grossem beta. Durch die Beschaltung ist der Arbeitspunkt, also IC0, bei beiden gleich. Damit ist auch die Steilheit gm gleich. Der Basiswiderstand rBE = beta/gm wird durch das grössere beta nun auch grösser.
Vielen Dank! Hab's kapiert. Ihr habt mir SEHR geholfen! Schönen Tag noch Dennis
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