Hi! Warum ist mir schon zweimal der Mosfet bei folgendem Einsatz "gestorben" ? (gestorben = ich messe immer 80 Ohm zwischen Drain und Source) Mosfet: BSS138 N-Kanal, Logic level, 0,2A http://www.fairchildsemi.com/ds/BS/BSS138.pdf Schaltung: ,-------------o --> zur h bridge (low side) | +---[4,7k]-----o + 12V | G _. D 0/3.3V o---------[330]--------||_ | S | `--------------o GND Angesteuert wird der Mosfet über 3,3V Pegel, maximale Taktfrequenz = 100Hz oder so. Der obere Anschluss geht zu einem LowSide FET von einer BTS7710G H-Bridge: http://www.ortodoxism.ro/datasheets/infineon/1-BTS7700G01-02-01.pdf Der BSS138 wird also nur zum Richtungsumschalten benutzt. Rekonstruktion wie er gestorben ist: Platine gelötet, getestet (mit ESD Armband). Bin dann nochmal in den Keller gegangen um ein paar Löcher in die Platine zu bohren, hab das dann in eine ESD Verpackung getan und bin zur Uni gefahren. Dann angeschlossen und der BSS138 war defekt. Evtl waren kurzzeitig die 12V nicht am BTS7710 angeschlossen. Jedenfalls bin ich jetzt irgendwie ratlos warum der FET gestorben ist. Dasselbe ist mir vor gut 5 Tagen mit der gleichen Schaltung und einem BTS7710GP passiert. Da war aufeinmal an der Uni auch ein BSS138 tot. Nachdem ich die BSS138 ausgetauscht habe funktioniert der Motortreiber 1A und ist auch >30min im Dauereinsatz gelaufen. Was mache ich falsch ?! Evtl elektrostatische Aufladung beim in den Keller gehen ?! Während der gesamten Lötprozedur etc hab ich ein ESD Armband getragen und auch sonst nichts angefasst ohne Erdung. (hatte nur zwei von den BTS7710 und wollte kein Risiko eingehen 8) ) Komisch ... Gruss, Simon
Gast
#300940
Hallo 1A ist zuviel nach Datenblatt bei UGS 3V -> ID 0,1A
Gast
#300941
Hallo sorry nicht richtig gelesen, vorherige Antwort streichen. Ich vermute das die Gate-Ladung des Lowside-Fets den Transitor killt. Ich würde mal einen Widerstand zwischen Drain und Eingang der h-Bridge schalten.
Wo hast du die 1A her ? Der schliesst doch nur die 4,7KOhm kurz (-> 0,002A). Ok die Gatekapazität kommt noch dazu von der HBridge aber ist die so heftig ?! Sehe gerade dass ich oben das falsche H-Bridge pdf verlinkt habe, korrekt ist: http://www.infineon.com/upload/Document/cmc_upload/0/000/013/422/BTS7710G01-02-01.pdf Gruss, Simon
ah ok ;) Also du meinst in die obere Leitung einfach zb 330 Ohm hinzu ? Werd ich mal einplanen fürs neue Layout ;) Hmm aber wieso stirbt er dann nicht während meines 30min tests ?! Gruss, Simon
Gast
#300944
Salve Normalerweise gibt man doch den Widerstand beim FET zwischen Gate und Masse. Durch den Widerstand zwischen Gate und Masse wird verhindert bei hohen Tahtfrequenzen die eventuell tötlichen Reflexionen. So wurde es mir jedenfalls gesagt. Benötigt man eigentlich einen seriellen Widerstand am Gate? Mehr als in die Sättigung kann man einen FET nicht treiben und auf der Drainseite begrenzt der 4,5K Widerstand den Strom sowiso. Oder hab ich irgendwo einen Fehler in meinen Annahmen? mfg Sepp
Gast
#300945
Hallo Simon, ein Widerstand zwischen Gate und VSS verhindert, das sich das Gate auf mehr als die erlaubte Ugs auflädt. Das würde ich dir sehr empfehlen. Z.B. 470k. Ansonsten ist - wenn der Gate-Treiber Ausgang hochohmig ist - dein Gate extrem hochohmig und kann sich leicht auf zerstörerische Spannungen aufladen. Wenn die Schaltung läuft passiert natürlich nichts, da der Treiber-Ausgang niederohmig ist. Gruesse SU
Hi!
Danke euch allen,
im Prinzip ergibt sich dann folgende Schaltung:
,--[330]------o --> zur h bridge
|
+---[4,7k]-----o + 12V
|
G _. D
0/3.3V o---------[330]-+------||_
| | S
| |
`-[100k]--+--------------o GND
Die zwei Widerstände passen sogar noch relativ gut auf die Platine
drauf 8)
Hab sie mal angehängt als eagle3d file
(die C's auf auf den Pinleisten kommen noch ordentlich daneben, waren
nur für den Prototypen da)
Danke ;)
Gruss, Simon
Angehängte Dateien:
-
droid3_engine_v3_s09_back.png
(700 KB)
