Hallo liebes Forum, ich hoffe mir kann jemand einen Tipp geben. Ich habe 8 Ausgänge (I <= 500mA), welche mit vier verschiedenen Spannungen (U < 20V) von einem uC (Vio = 3.3V) aus beschalten werden können sollen. + 5V --- Schalter ---+ | | + 10V--- Schalter ---+ | | + 15V--- Schalter ---+ | | + 18V--- Schalter ---+--- Last ---+ | | uC GND Die dafür benötigten Schalter sollen auf der High-Side schalten und damit kommt einem sofort PMOS in den Sinn. Was sich jetzt jedoch als extrem problematisch darstellt ist die Body-Diode, wodurch ein Strom in die Quellen mit niedrigerer Spannung zurück fließen könnte. Um dies zu umgehen bin ich auf der Suche nach PMOS mit a) herausgeführtem Substrat-Anschluss, b) mind. 500mA Dauerstrombelastung und c) Uds <= -20V, Ugs <= -20V. Als bester Kandidat ist mir bis jetzt der MIC94050 über den Weg gelaufen, welcher jedoch nur bis Uds = -6V und Ugs = -6V spezifiziert ist. TIA!
Dann schalte mal zwei P-Channel FETs in Reihe S-D----D-S. Dann sperrt die jeweils ein Diode doch... https://www.google.de/search?q=mosfet+series+back+to+back-to-back&biw=2560&bih=1291&tbm=isch&tbo=u&source=univ&sa=X&sqi=2&ved=0ahUKEwil9trb24fQAhVsK8AKHbDMChwQsAQIHg
http://electronics.stackexchange.com/questions/178526/reverse-current-protection-on-power-switching-mos hier stehts auch. Soll ja nur ein Vorschlag sein. der wird auf jeden Fall zum Ziel führen, als einen P-CH mit herausgeführter Diode zu finden. Ich kann Dir allerdings noch ein paar SMY51 verkaufen, hehe :)
@Stromtuner: Nice! Danke für den Tipp, das habe ich gesucht ;) @hinz: Photomos bzw. (Halbleiter-)Relais fallen leider aus Platz- und Geldgründen aus, würden aber auch zum Ziel führen.
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