Hallo! Hab eine Frage und zwar: Wie sieht ein Widerstand auf CMOS Basis aus? Wir haben in der Schule da einen NMOS FET gezeichnet, bei dem einfach das Gate mti Source verbinden ist... Nur was ich mich dabei frage: Dann habe ich ja einen PN Übergang, also eine Diode in Durchlassrichtung und keinen einfachen Widerstand oder?? Danke!
beim FET gibt es keine Sperrschichten, zumindest nicht im Signalweg. Alle vorhandenen Sperrschichten dienen nur der Isolierung. Der gesteuerte Kanal ist tatsächlich ein Ohmscher Widerstand. Der kann selbstleitend (dotiert) sein, hat also eine EIgenleitung bei Gatespannung 0V. Mithilfe der Gataspannung kann die Leitfähigkeit erhöht oder erniedrigt werden. Beim selbstsperrenden Typ entsteht der Kanal erst, wenn eine ausreichend hohe Feldstärke erreicht wird.
Danke! Das ist mir jetzt klar. Dann hätte ich gleich noch eine Frage, passt nicht zum Thema, aber ich möchte kein neues Topic aufmachen.. Und zwar bei der Impedanz - Berechnung für einen einfachen Sperrschwingkreis (Parallelschwingkreis), bekommen wir da als Ergebnis: ( (j w L + R - w^2 L C* R ) / (1- w^2 * L *C) Nun haben wir in der Erkenntnis, dass bei einem SPerrkreis bei Resonanz Z unendlich wird, den Nenner des Bruches, also (1- w^2 * L *C) nullgesetzt, daraus folgt (1- w^2 * L *C) = 0 , nach Umformung bekommt man die das w bei Resonsanz und zwar mit: w^2 = 1/ (L*C) So weit so gut, aber warum setzt man den Nenner 0, wenn Z gegen unendlich geht? Danke!!
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.