Widerstand auf CMOS Basis

beim FET gibt es keine Sperrschichten, zumindest nicht im Signalweg.
Alle vorhandenen Sperrschichten dienen nur der Isolierung. Der
gesteuerte Kanal ist tatsächlich ein Ohmscher Widerstand.
Der kann selbstleitend (dotiert) sein, hat also eine EIgenleitung bei
Gatespannung 0V. Mithilfe der Gataspannung kann die Leitfähigkeit
erhöht oder erniedrigt werden.
Beim selbstsperrenden Typ entsteht der Kanal erst, wenn eine
ausreichend hohe Feldstärke erreicht wird.

Danke! Das ist mir jetzt klar. Dann hätte ich gleich noch eine Frage,
passt nicht zum Thema, aber ich möchte kein neues Topic aufmachen..

Und zwar bei der Impedanz - Berechnung für einen einfachen
Sperrschwingkreis (Parallelschwingkreis), bekommen wir da als
Ergebnis:


   ( (j w L + R - w^2  L C* R )  / (1- w^2 * L *C)

Nun haben wir in der Erkenntnis, dass bei einem SPerrkreis bei Resonanz
Z unendlich wird, den Nenner des Bruches, also

(1- w^2 * L *C)

nullgesetzt, daraus folgt    (1- w^2 * L *C)    = 0  ,
nach Umformung bekommt man die das w bei Resonsanz und zwar mit:

w^2 = 1/ (L*C)


So weit so gut, aber warum setzt man den Nenner 0, wenn Z gegen
unendlich geht?

Danke!!

Danke! Super Link!!