Vorgang beim Auslesen von NAND-Speicherzellen

Hallo zusammen,

ich habe versucht da Auslesen von NAND-Speicherzellen zu verstehen, aber 
ehrlich gesagt, so ganz klar ist es mir nicht:

Ich hab mal ein Bild einer NAND-Speicherzelle angehängt.

Beim Lesen einer NOR-Speicherzelle wird diese ja per Bitline und 
Wordline ausgewählt. Ich hab das mal so verstanden, dass wenn sie 
programmiert ist, ist der Threshold zum Durchleiten, den man ans Control 
Gate anlegen muss niedriger ist.

Bei NAND-Zellen sollte es das Selbe sein, nur frage ich mich wie dort 
eine einzelne Zelle ausgelesen wird, schließlich hängt das, was an der 
Bitline raus kommt ja von ALLEN in Reihe geschalteten Zellen ab, es wird 
ver NANDed.

Wie erkennt man jetzt, welche Zelle programmiert wurde, wenn zwei Zellen 
in der selben Reihenschaltung programmiert sind?

Werden dann einfach alle anderen Zellen mit einer so hohen Spannung am 
Control-Gate angesteuert, dass sie auf jeden Fall durchleiten und die 
auszulesende Zelle wird einfach nur so angesteuert wie ich es bei der 
NOR-Zelle beschrieben habe?

Danke für eure Antworten