Hallo zusammen, ich habe versucht da Auslesen von NAND-Speicherzellen zu verstehen, aber ehrlich gesagt, so ganz klar ist es mir nicht: Ich hab mal ein Bild einer NAND-Speicherzelle angehängt. Beim Lesen einer NOR-Speicherzelle wird diese ja per Bitline und Wordline ausgewählt. Ich hab das mal so verstanden, dass wenn sie programmiert ist, ist der Threshold zum Durchleiten, den man ans Control Gate anlegen muss niedriger ist. Bei NAND-Zellen sollte es das Selbe sein, nur frage ich mich wie dort eine einzelne Zelle ausgelesen wird, schließlich hängt das, was an der Bitline raus kommt ja von ALLEN in Reihe geschalteten Zellen ab, es wird ver NANDed. Wie erkennt man jetzt, welche Zelle programmiert wurde, wenn zwei Zellen in der selben Reihenschaltung programmiert sind? Werden dann einfach alle anderen Zellen mit einer so hohen Spannung am Control-Gate angesteuert, dass sie auf jeden Fall durchleiten und die auszulesende Zelle wird einfach nur so angesteuert wie ich es bei der NOR-Zelle beschrieben habe? Danke für eure Antworten
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