Sperrstrom BJT vs. MOSFET

[Kupfer Michi (Gast)]

Ich überlege gerade ob für einen Kleinleistunsschalter ein PNP oder ein
P-MOSFET besser geignet ist. Dabei kommt es mir auf möglichst kleine
Sprerrströme bei Zimmertemperatur an.

Datenblätter geben dazu nur sehr spärlich Auskunft:
 z.B. BC557  I.CES = -2nA typ, -100nA max
      BSS84P I.DSS = -100nA max, keine Angabe über typ. Wert
Angaben über die Spannungsabhängikeit werden nicht gemacht.

1.) Kann man da eine tendenzielle Ausage machen (z.B. BJT haben
kleinere Sperrströme bei vergl. Umständen)?

2.) Manchmal ist nur I.CBO angegeben (d.h. Kollektor Basis Sperrstrom
bei offenen Emitter).
Kann man daraus irgendwelche Rückschlüsse auf I.CES ziehen?

[Winfried (Gast)]

Wenn es geht, würde ich lieber PNP nutzen. Wobei die typischen Werte oft
viel tiefer liegen, als die Maximal-Spec. Mosfet hat vor allem das
Problem, dass bei steigender Temperatur die Restströme sehr schnell
sehr groß werden.

Bauteilauswahl hängt aber von vielen Randbedingungen ab. Was nützt es,
wenn du einen super kleinen Reststrom hast, den du gar nicht brauchst,
dafür aber den 10fachen Preis bezahlst oder aber die Verluste im
eingeschalteten Zustand viel zu groß sind. (Gatestrom Mosfet nahe Null,
Basisstrom wesentlich größer 0).

So gering wie möglich von irgendwas ist oft nicht das Kriterium, ein
guter Kompromiss von allen Parametern, darum geht es.

[Arno H. (Gast)]

ICB0 und ICES dürften sich ziemlich ähnlich sein, denn bei Kurzschluss
zwischen Emitter und Basis liegt dort die Spannung 0V an und es wirkt
nur die Kollektor-Basis-Diode.
Eine Zusammenstellung einiger Temperaturabhängigkeiten bei Halbleitern
steht in der Design Note 4 von ZETEX.
Arno

[Kupfer Michi (Gast)]

>ICB0 und ICES dürften sich ziemlich ähnlich sein

Das hatte ich auch vermutet, war mir aber nicht sicher ob durch den
3-Dim Aufbau der Feldlinienverlauf bei offenen Emitter etwas anders
ist.

[Kupfer Michi (Gast)]

hier noch die DN von ZETEX