Was trägt zur Erwämung des MOSFET bei

Das hängt maßgeblich von deiner Anwendung ab. Wenn du einen hohen Strom 
scvhalten willst, aber z. B. nur einmal pro Minute schaltest, dann der 
T2.

Aber an irgend einer Stelle wird die Erwärmung maßgeblich von der 
Umschaltzeit bestimmt und da solltest du dann besser messen oder 
simulieren (LTSpice von linear.com, kostenlos nutzbar).

Umschaltzeit = Zeit, in der der Widerstand des Mosfets nicht nahezu 0 
oder (sehr) hochohmig ist

Felix Adam schrieb:
> Das hängt maßgeblich von deiner Anwendung ab. Wenn du einen hohen Strom
> scvhalten willst, aber z. B. nur einmal pro Minute schaltest, dann der
> T2.

Das ergibt sind, da ja der RD_SON kleiner ist.

Der Einsatz wäre in einem Sperrwandler, mit einer Schaltfrequenz von 65 
kHz. Primärseitig fließen etwa 0.5 mA, rein auf dem Papier. Die oberen 
Werte sind nicht unbedingt die gewünschten Transistoren. Sie sollen eher 
zum Vergleich dienen.

Was ich aber jetzt weiter gelesen habe ist, dass die Kapazität doch 
maßgeblich für diesen Fall sein kann, richtig? Aufgrund der hohen 
kapazität benötigt der Transistor längere Zeit zum durchschalten, 
wodurch eine Erwärmung begünstigt wird. Richtig?

Bernd Stromberg schrieb:
> Felix Adam schrieb:
>> Das hängt maßgeblich von deiner Anwendung ab. Wenn du einen hohen Strom
>> scvhalten willst, aber z. B. nur einmal pro Minute schaltest, dann der
>> T2.
>
...
>
> Was ich aber jetzt weiter gelesen habe ist, dass die Kapazität doch
> maßgeblich für diesen Fall sein kann, richtig? Aufgrund der hohen
> kapazität benötigt der Transistor längere Zeit zum durchschalten,
> wodurch eine Erwärmung begünstigt wird. Richtig?

Genau das hat doch Felix geschrieben. Bei dir wäre das nicht ein 
Schaltvorgang pro Minute, sondern 65000 Schaltvorgänge pro Sekunde! Daß 
es da viel mehr auf die Schaltzeiten ankommt als nur rein auf den RDSon, 
ist doch ganz klar.

33nC / 100ns = 33C / 100s = 330mA Umladestrom nötig für 100ns 
Schaltzeit. Oder ist die Rechnung falsch.

Mit einem Gate Treiber sollte das Peanuts sein, also würde ich immer T2 
nehmen.

Falk B. schrieb:
> WELCHE Kapazität? Die Gate Source Kapazität bewirkt keine
> Verlustleistung im MOSFET, nur im Treiber.

Die Gate-Kapazität spielt da schon einge gewisse Rolle mit rein. 
Natürlich muss bei einer schnellen Umladung der Treiber arbeiten und 
erwärmt sich dabei, jedoch dauert das schalten beim MOSFET wesentlich 
länger, wenn die Gate-Kapazität groß ist. Dadurch durchfährt er nur 
langsam seinen linearen Bereich und der MOSFET erwärmt sich.

So wie ich es jetzt festgestellt habe ist es immer ein Kompromis 
zwischen RD_SON und Gate-Kapazität. Wenn ich die Gate-Kapazität 
verkleinern will, dann vergrößere ich automatisch den RD_SON. Das Ergibt 
auch Sinn, wenn man sich den Aufbau und die Formeln zum Kondensator 
ansieht. Verkleinere ich den Abstand zwischen Drain und Gate verkleinere 
ich den RD_SON, vergrößere aber dadurch die Kapazität, da ja der Abstand 
umgekehrt proportional in die Kapazität eingeht.

Die folgenden Links sind sehr hilfreich unterschiedliche MOSFETs anhand 
ihrer Kapazität und ihres RD_SON zu bewerten.

https://de.rs-online.com/web/generalDisplay.html?id=infozone&file=automation/auswahl-power-mosfet

http://www.powerelectronics.com/discrete-power-semis/egantm-silicon-power-shoot-out-part-1-comparing-figure-merit-fom