Gast
#337119
hallo ich möchte eine kleine eingangsverstärkerstufe klasse A mit einem bipolattransistor (BF240) in emitterschaltung dimensionieren bei etwa 55MHz. das ganze eingangsseitig auf 50 Ohm angepasst und am ausgang hochohmig betrieben. nur scheiterts bei mir grad an der dimensionierung (also ich will es versuchen von hand durchzurechnen). und zwar geht es um die berechnung der spannungsverstärkung. um sie auszurechnen, brauch ich den kleinsignaleingangswiderstand rBE vom transistor. der bestimmt sich zu rbe = (Ut / Ib) * ß. meine current gain bekomm ich über das verstärkungsbandbreiteprodukt (ft = 700MHz), aber welches Ib (basisstrom) soll ich nehmen ? den statischen Ib ? irgendwie wärs gut wenn mir jemand mal kurz ein zahlenbeispiel vorführen könnte.. und nochwas: dass die current gain bei höheren frequenzen runter geht (20dB/Dek.) liegt ja meines wissens an der miller-kapazität Ccb. mit einer spule im kollektorzweig in reihe mit meinem normalen arbeitswiderstand könnte ich doch meine verstärkung erhöhen um den rückgang von meiner current gain zu kompensieren oder ? (größerer kollektorwid. bei hohen frequenzen) hab das glaub bei ner schaltung so gesehen. aber spule in reihe mit Rc, das riecht nach komplexer rechnung oder ? danke mfg