Hallo,
ich hab da eine Frage bezüglich JFETs, genauer bezüglich dem BF245.
Soweit ich gelesen habe, ist der BF245 innen drin symmetrisch aufgebaut
und man kann beliebig Drain und Source tauschen. Das soll es möglich
machen, dass man den N-Kanal JFET auf entweder mit Source auf GND oder
mit Source auf +V betreiben kann. Im Gegensatz dazu bräuchte man bei
MOS-FETs einmal einen N-Kanal und einmal einen P-Kanal.
Ich hab ein kleines Bild angehängt, wo man sieht was ich meine.
Ich hab da aber noch ein weiteres Verständnisproblem: Wenn man Source
und Drain beliebig tauschen kann, woher "weiß" der FET dann, dass ich
meine Steuerspannung an Gate-Source anschließe und nicht an Gate-Drai?
Vermutlich fehlt's da schon an den FET-Basics, aber irgendwie findet
man nicht wirklich brauchbare Informationen, weil die fast niemand
verwendet.
Im Voraus Danke für hilfreiche Antworten!
Mfg
Thomas Pototschnig
Laut Datenblatt dürfte nichts passieren.
Ugsmax = -30V, hier hätten wir in Bild 2 nur -7V
Fliessen wird hier allerdings nichts, Gate-cut-off ist je nach
Stromgruppe zwischen -2 und -6V.
Krachen könnte es allerdings in Bild 1.
Grund: Fehlender Gate-Vorwiderstand. Igsmax = 10mA, ein AVR liefert
schon mehr. Strom fliesst immer dann ins Gate, wenn es positiv
gegenüber dem Source-Anschluss ist.
Gruss
Jadeclaw.
@Thomas:
Im Elektronik Kompendium (ELKO) gibt es einen Aufsatz darüber, wie man
auch mit positiver Gate-Spannung am I-FET arbeiten kann.
Den Link habe ich nicht vor Ort, ist aber per Google leicht zu finden.
Diese Betriebsart ist jedoch in üblichen Beschreibungen über I-FET
nicht erwähnt oder dokumentiert.
Gruß
Dietmar
Die UGS eines N-Kanal J-FET sollte immer negativ sein. Bei 0V UGS
fliesst der IDSS aus dem Datenblatt.
Auf die Symmetrie kann man sich leider nicht verlassen, besonders
geeignete FET werden als symmetrisch oder Chopper beworben.
@ Dietmar:
J = Junction also Sperrschicht. Diese verhält sich wie eine
stinknormale Si-Diode, d.h. über 0,6 - 0,7V UGS fliesst ein Gatestrom.
Dann siehts mit der Steuerbarkeit schlecht aus.
Arno
thomas..
1. deine schaltungen gehen beide, solange bei 2 der r und damit der
strom unter idss des fet ist.
2. stell dir den fet so vor:
D---===----S
^
G
:eine diode in sperr-richtung, mit anschlüssen : gate auf einer seite
und drain/source auf der anderen mit 2 kontakten links und rechts.
die schicht in der mitte leitet, aber ist sehr dünn.
wird die diode negativer vorgespannt, wandern die trennschichen weiter
auseinander, dh, die verbleibende schicht, die von links nach rechts
-oder umgekehrt- strom führt, wird dünner und damit hochohmiger, >>
weniger strom. deshalb ist d und s vertauschbar, wenn der fet
symmetrisch aufgebaut ist. bedingung für die funktion ist nur: gate
negativer als ein anschluss, d oder s , egal.
wird gate positiver als 0,6v bzgl beider (d oder s) gibts keine
sperrschicht mehr und du hast nur noch eine diode zwischen gate und
source, keine fet funktion mehr.
Vielen Dank euch alle. Ihr habt mir schonmal weitergeholfen.
@alfsch:
"bedingung für die funktion ist nur: gate negativer als ein anschluss,
d oder s , egal."
Um nochmal sicher zu gehen: G muss negativer als D und S sein, oder
reicht es wirklich, dass G negativer z.B. S ist und D ist egal?
wie gesagt, es is im prinzip ne diode: wenn gate positiver als d oder s
wird, leitet die "gate-diode", das teil hat keine fet funktion mehr
(genau wie normale diode, ab etwa 0,5v + am gate). nur wenn gate ne
extra iso-schicht hat, darf es auch positiv angesteuert werden, dann
heisst das teil eben mos-fet, metall-oxid(isolator)-silizium.
@Erwin: Das hab ich schon gemacht und es funktioniert wunderbar ;-)
Ne im Ernst, es funktioniert wirklich so wie ich mir das gedacht habe.
Der BF245 ist Teil eines Regelkreises in dem er im ohmschen Bereich
arbeiten soll und das tut er tatsächlich :-)
fet.png
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