@the stupid beginner:
Hier kannst du mal die Daten der 1N4004 downloaden:
http://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4004.pdf
Dort ist die Diodenkennlinie mal untypisch halblogarithmisch
dargestellt, nicht wie gewohnt linear.
Bei Nennstrom 1A liegen 0,95V an.
Bei 0,1A liegen 0,75V an.
Die typische Durchlaßspannung für Silizium liegt hier etwa bei 10
Prozent des Nennstromes.
Eine leistungsschwächere Diode zum Vergleich:
http://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4148.pdf
Hier ist die Diodenkennlinie noch untypischer, nämlich voll
logarithmisch dargestellt (Gerade).
Beim Nennstrom 200 mA haben wir hier 1,05V, bei 10 Prozent des
Nennstromes etwa 0,77V.
Die typische Durchlaßspannung von 0,7V für Silizium wird also nur bei
einer kleinen Belastung von etwa 10 Prozent des Nennstromes und
Raumtemperatur liegen.
Die Durchlaßspannung ist beim Größenvergleich beider Dioden also
hauptsächlich eine Funktion der Geometrie (Siliziumfläche), des
Volumens und der Kühlung des Bauteils, aber auch noch einiger anderer
Parameter.
Also: 0,7V für Silizium sind ein grober Faustwert je nach Anwendung und
Belastung.
Gruß
Dietmar