Hallo gemeinsam, ich habe vor eine Zth-Messschaltung für die Temperaturbestimmung an parallelgeschalteten Leistungshalbleitern aufzubauen. Hierfür würde ich dies gerne in LTSpice simulieren, um zu sehen, ob mein Vorhaben überhaupt realisierbar wäre. Zur Idee selbst: Da mein eingespeister Messstrom (ca. 10-100 mA) an parallel angeordneten Halbleitern eine von außen (ohne Strommessung) nicht erkennbare Aufteilung aufweist, und der Spannungsabfall ohnehin für alle Halbleiter gleich sein wird, habe ich mir Folgendes überlegt. Durch schnell sättigbare Ferritkerne (sogenannte induktive Snubber oder Spike Killer) würde ich gerne den Messstrom gezielt durch einzelne Leistungshalbleiter jagen (zumindest im Einschaltmoment) und hierbei den Spannungsabfall messen. Durch die gegensätzliche induktive Kopplung soll die Impedanz im zu messenden Pfad möglichst gering gehalten werden, während die anderen Pfade durch eine relativ hohe Induktivität "blockiert werden". Jedoch fehlt mir die Idee, wie ich meine Induktivität auszulegen habe. Zudem spielt die Sättigung während des eigentlichen Betriebs mit Laststrom (ca. 100 A) eine wichtige Rolle, da die Sekundärwicklungen jeweils im Leistungspfad liegen. Die Induktivitäten sollten das Schaltverhalten möglichst nicht beeinflussen. Kann mir jemand Tipps geben, wie ich meinen Trafo am besten simulieren kann?
Gast
#5350210
So ganz habe ich dein Problem nicht verstanden, aber in LTSpice kannst Induktivitäten ziemlich genau mit dem CHAN-Modell beschreiben. Im CHAN-Modell kann man die materialspezifischen Parameter für das Kernmaterial eintippen und dann wird daraus die Induktivität simuliert. Ich hab damit ganz gute Erfahrungen gemacht. Hysterese soll damit auch funktionieren, aber benötigt habe ich es bisher noch nicht. Folgende Parameter benötigst du dazu: Hc=Koerzitivfeldstärke in A/m Br=Remanenzflussdichte in Tesla Bs=Sättigungsflussdichte in Tesla Lm=magnetische Weglänge (ohne Luftspalt) in Metern Lg=Luftspalt in Meter A=magnetische Querschnittsfläche N=Windungszahl Diese Parameter findest du unter Umständen im Datenblatt. Im Anhang siehst du den Spaß für das Material N87 für einen ETD Kern.
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Unbenannt.PNG
(3,8 KB)
Zunächst einmal:
Danke für deine Antwort :)
Das eine derartige Lösung mit parallel angeordneter Hauptinduktivität
existiert hatte ich bereits gelesen, aber ich habe leider noch keine
Vorstellung davon, welchen Kern ich verwenden werde.
flux={L*Isat}*tanh(x/Isat) würde zunächst als Parameter auch völlig
ausreichen.
Angenommen ich benötige einen Trafo mit 1:1 Verhältnis, 10uH
Induktivität und definiere einen Sättigungsstrom Isat für die oben
erwähnte Form, muss ich dann zu meinem idealen Transformator (20u : 20u)
eine weitere sättigbare Induktivität mit 20u parallelschalten, so dass
eine Gesamtinduktivität von 10u realisiert ist?
Da fehlt mir ein wenig das Gefühl dafür :)
Gast
#5350230
Nachtrag: die realistischen 850µH kamen dann auch in der Simulation raus. Wie man die Sache bei einem Trafo simuliert, weiß ich nicht.
Hier mal ein Auszug von einem Modell für einen Netztrafo. Einfachh mal die Werte anpassen und das Modell vereinfachen - Streukapazitäten und magnetische Verluste(Rparallel) entfernen.
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transformer_2.GIF
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