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Wieviele FETs verträgt ein MOSFET-Treiber
Gast
#342115
Hallo Ich stell mir gerade die Frage, wenn ich mit einem Mosfet-Treiber wie z.B. IR2130 FETs ansteuere wieviele FETS(Pro Ausgang) könnte ich parallel ansteuern ohne dass ich Nachteile habe? Gibt es dazu ein Fachbegriff? Fanout heisst es nicht wie ich zuerst gedacht habe. Ist eigentlich die "Gatekapazität" von einem FET abhängig von der Spannung oder vom Strom die am FET "herscht" abgesehen vom FET-Typ? Gruss Hornet
Gast
#342116
ich würde sagen die Gatekapazitäten addieren sich und der Treiber hat es schwerer die umzuladen. Wieviel der Treiber schafft hängt dann von der Schaltfrequenz ab, dazu müsste es Diagramme im Datenblatt des Treibers geben.
Gast
#342117
C addiert sich, Gatewiderstand muß entsprechend bemessen werden, um u.a. den Treiber zu schützen. C_gate ist von Uds usw. abhängig, steht evtl im Datenblatt.
Gast
#342118
Den FET den ich beschalten will ist ein IRFZ46N Im Datenblatt finde ich kein Diagramm das eine Abhängigkeit der Kapaziät vom der Frequenz ist. Aber die Angabe Reverse Transfer Capacitance = 110pF/ = 1.0MHz. Aber noch ein Diagramm mit C, Capacitance (pF) in Abhängigkeit von Drain-to-Source Voltage (V) bei 1 Mhz. Ich nehme an ich kann mit 110pF bei 1 Mhz rechnen? Oder nimmt die Kapazität sogar bei niedriger Frequenz zu? Bei höhere Frequenz wird einfach mehr umgeladen und somit fliesst ein mehr Strom. Üblicher Weise nimmt man eine Treiberstufe je FET. Ob überhaupt und welchen Treiber man braucht, hängt hauptsächlich von der Frequenz und der Betriebsspannung ab. Z.B. bei 100kHz und 12V reicht meistens ein MC-Ausgang aus, aber bei 100kHz und 300V muß man schon ne Treiberstufe nehmen. Peter
Gast
#342120
Danke
Gast
#342121
Nimmt man zur Berechnung der Gate Ansteuerung statt der verschieden Kapazitäten nicht eher das Diagram "Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage"? Aus der Ladung bei gegebener Vgs lässt sich dann der benötigte Gate Strom für eine bestimmte Umschaltzeit berechnen. Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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