Hallo, Ich lese mir gerade das Datenblatt zu dem oben genannten Mosfet durch. Mir fällt auf das bei Vgs Gate Threshold Voltage Min 2 und Max 4 steht. Heißt das das ich nicht mehr wie 4 Volt ans Gate anlegen darf oder heißt es das das Gate erst ab 4 Volt aufmacht und ich auch 12 Volt anlegen darf?
Das heißt, daß die V_GS(th) zwischen 2 und 4 Volt schwanken kann. Das ist eine fertigungsbedingte Schwankungsbreite. "V_GS(th)" ist die V_GS-Spannung, ab der der Fet zu leiten beginnt. (th = Threshold = Schwellwert) Welche Spannung zwecks "sicherem Durchschalten" angebracht ist, sieht man bei solchen Datenblättern genau dort, wo auch der betreffende / zugehörige Einschaltwiderstand steht: "Electrical Characteristics", Zeile "R_DS(ON)", Spalte "Test Conditions" Hier wurden 10V benutzt - bei Standard-FETs eine Möglichkeit. (#) Und welche Spannungen V_GS maximal erlaubt sind, wiederum bei den "Maximum Ratings" unter "V_GS" oder auch "V_GS(max)". Das trifft allgemein auf alle Datenblätter zu. Die Bezeichnung "ON/OFF states" findet man nicht überall, weshalb ich sie wegließ. (#): Ja, Du kannst / darfst auch 12V benutzen. Der R_DS(ON) aber ändert (verringert) sich dadurch nicht mehr all zu sehr, nebenbei. Nimm was Du hast - 10V, 12V, macht nicht viel Unterschied. (Die meisten Treiber unterstützen beide Spannungslevel. Mußt Du aber im Datenblatt checken...)
Rdson ist laut Datenblatt für 10V spezifiziert. Deshalb ist es sinnvoll mit 0V/10V anzusteuern. Natürlich geht auch 0V/12V. Maximal darf man 20V anlegen aber das reizt man besser nicht aus.
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