Hallo zusammen! Ich habe einen Avr-Controller und einen IO-Pin als Ausgang programmiert. Daran möchte ich einige LEDs schließen. Der Strom ist zu groß, dass ihn der Port direkt aufbringen kann. Jetzt kann man einen Opto-Kopler verwenden (zu aufwendig), eine Transistorstufe oder einen MOS-FET. Bis jetzt habe ich immer Transistorstufen genommen, die doc recht zuverlässig sind. Aber ich sehe immer öfter das MOS-FETs benutzt werden. Ich habe dann mal einzelne Teile dieser Schaltungen mit dem Worcsbench simuliert. Aber in keinem Fall hat der MOS-FET geschaltet. Entweder waren es nur ein paar mV oder dann fast die gesamte Gesamtsannung (Verpolungsfall). Ich finde auch in "Grundschaltungen" vom Vogelverlag keinen Hinweis. Im "Tabellenbuch Elektrotechnik" vom Europaverlag stehen auch keine Formeln drin. Wie kann ich meine alte Transistorstufe durch eine MOS-FET-Stufe ersetzen und wie berechne ich solche Schaltungen? Denn es kann ja sein das ich mal größere Lasten schalten möchte. Da ist es aufgrund des B-Wertes von Transistoren schon doof. Christian
Hallo, http://www.tu-ilmenau.de/is/gde/script/E_SCRIPT.pdf dort steht was über Mosfets. Wenn es nur ums ein/auschalten geht ist das aber kein Problem. Gate über 1kOhm an Portpin, Source an GND, Verbraucher an +5V und Draun an Verbraucher. Der Mosfet sollte aber ein Type sein der bei 5V voll durchschaltet (Logig-Level). Bernd
Hi Christian, noch ne Variante: P-Kanal Mosfet (z.B. IRF9540) Gate über 2,2K an +Spannung (5V oder mehr) Portpin über 1K an Gate Source an +Spannung (5V oder mehr) Drain an Last Last an GND Den Gate-Widerstand so dicht wie möglich an den Transistor bringen. Low Level am Gate öffnet den Transistor, High Level sperrt. Gruß, Günter
Hi Christian, wenn ich dich richtig verstanden habe, möchtest du lediglich LEDs ansteuern, richtig? Da würden vielleicht auch etwas kleinere MOS-FETs reichen. Mein Vorschlag: BSS84 (P-Channel) oder BSS 138 (N-Channel), beide im SOT23-Gehäuse (äquivalente gibt es bestimmt auch im TO92). Die kannst du direkt ohne Vorwiderstand mit dem µC ansteuern. Gruß, Olaf
Man sollte zumindest einen niederohmigen Gatewiderstand vorsehen zwecks Unterdrückung der Schwingneigung 10 Ohm - 1KOhm). Gruß, Günter
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