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Parallelschaltung Bipolar Transistoren
Gast
#354856
Eine Parallelschaltung von Transistoren erlaubt ja dass man damit höhere Ströme schalten kann. Um die Bauteiltoleranzen (beta,...) auszugleichen schaltet man bein NPN Transistoren noch an jeden Emitter eine Widerstand. Wie sind diese Widerstände zu wählen bzw. zu dimensionieren
Gast
#354857
2 gleiche Werte, oder meinst du einen absoluten Wert in Ohm ? Prinzip: der Transistor mit der höheren Verstärkung läßt einen größeren Strom fließen, somit fällt an dessen Emitterwiderstand eine höhere Spannung ab, welche der UBE entgegenwirkt.
Gast
#354858
Ich meinen den absoluten Wert. Habe bis jetzt Werte von 0.1 Ohm bis 1 Ohm gelesen.
Gast
#354859
ja, kannst auch andere Werte nehmen. Welcher Strom fließt denn ? davon hängt der Wert ab. Spannungsabfall an R, sowie I bestimmen ja auch die Leistung für den R. Also, nen bischen mußt du schon das Ohmsche Gesetz bemühen.
Gast
#354860
Das hängt auch von den Toleranzen der Transistoren ab, bei ausgesuchten Exemplaren reichen 200mV Spannung am Emitterwiderstand bei Nennstrom gut aus. Aus der Wühlkiste oder unsortiert können auch mal 500mV erforderlich werden. Die Verlustleistung und die zur Verfügung stehende Spannung spielen natürlich auch eine Rolle. Was ist die Anwendung? Arno
Gast
#354861
Anwendung ist ein diskret aufgebauter Linearregler für höhere Spannungen. Parallelschaltung damit mir die Transistoren im KS-Fall (habe zwar ne Rückläufige Kennlinie) nicht abrauchen. Im Normalfall würde ein Transistor bei Weitem ausreichen.
Gast
#354862
Bei Spannungen über 100V kommt es ja nicht auf jedes Zehntel Volt an. Je höher die Widerstände, desto besser der Gleichlauf. Das Leben ist ein Kompromiss!? Arno Antwort schreiben |
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