Parallelschaltung Bipolar Transistoren

Gast #354856
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Eine Parallelschaltung von Transistoren erlaubt ja dass man damit höhere
Ströme schalten kann.
Um die Bauteiltoleranzen (beta,...) auszugleichen schaltet man bein NPN
Transistoren noch an jeden Emitter eine Widerstand.

Wie sind diese Widerstände zu wählen bzw. zu dimensionieren
Gast #354857
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2 gleiche Werte, oder meinst du einen absoluten Wert in Ohm ?

Prinzip: der Transistor mit der höheren Verstärkung läßt einen größeren
Strom fließen, somit fällt an dessen Emitterwiderstand eine höhere
Spannung ab, welche der UBE entgegenwirkt.
Gast #354859
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ja, kannst auch andere Werte nehmen. Welcher Strom fließt denn ? davon
hängt der Wert ab. Spannungsabfall an R, sowie I bestimmen ja auch die
Leistung für den R.

Also, nen bischen mußt du schon das Ohmsche Gesetz bemühen.
Gast #354860
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Das hängt auch von den Toleranzen der Transistoren ab, bei ausgesuchten
Exemplaren reichen 200mV Spannung am Emitterwiderstand bei Nennstrom
gut aus. Aus der Wühlkiste oder unsortiert können auch mal 500mV
erforderlich werden.
Die Verlustleistung und die zur Verfügung stehende Spannung spielen
natürlich auch eine Rolle.
Was ist die Anwendung?
Arno
Gast #354861
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Anwendung ist ein diskret aufgebauter Linearregler für höhere
Spannungen. Parallelschaltung damit mir die Transistoren im KS-Fall
(habe zwar ne Rückläufige Kennlinie) nicht abrauchen. Im Normalfall
würde ein Transistor bei Weitem ausreichen.

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