Hallo zusammen, ich suche einen weg die Plateauspannung (also die Gate-Spurce Spannung die beim Durchschalten des Mosfet während dem Miller-Effekt anliegt) eines N-Mos zu berechnen. Je nach Hersteller ist diese zwar im Datenblatt angegeben, allerdings dann auch nur für fest vorgegebene Parameter U_DS und I_D. Man kann die Plateauspannung ja auch durch simulation herausbekommen, aber wenn man kein Spice Modell des Mosfet hat kommt man ums berechnen ohnehin nicht herum (es sei denn man misst direkt in der Schaltung nach). Soweit ich weiß hängt die Plateauspannung auch noch von der Drain-Source-Spannung ab, jedenfalls habe ich dieses Verhalten bei einer Simulation mit LTSpice bemerkt. Hier am Beispiel eines 20N60C3. Dort ist im Datenblatt eine Plateauspannung von 5,5V bei U_DS von 480V und einem I_D von 20,7A angegeben. In der Simulation passt das auch so weit. Die grüne Kurve auf dem Bild enstspricht der Gate-Source-Spannung Gruß Markus
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