Gast
#370661
Hallo, ich suche nach einem N-Channel MOSFET Transistor, der KEINE Umkehrdiode hat. Der soll ungefaehr fuer 10A, 100V ausgelegt sein. Wer weiss Bescheid, welcher Hersteller so etwas fuehrt? Danke, r.
Gast
#370662
wirst du kaum finden, da diese Diode nicht extra eingebaut (und somit weggelassen werden könnte), sondern ein Nebenprodukt des Herstellungsprozesses ist.
Gast
#370663
Vielen Dank. Dann muss ich mir wohl die IGBTs anschauen.
Gast
#370664
Das wird dir aber auch nicht allzuviel nützen, reverse voltage i.a. <20V. Was willst du machen? Normalerweise stören die Dioden doch gar nicht?
Gast
#370665
>Normalerweise stören die Dioden doch gar nicht?
Stimmt, war falsch herum inder Schaltung. Danke.
Gast
#370666
ROF-FEL.
Gast
#370667
@crazy horse, alle Hallo, obwohl ich jetz einen Fehler gefunden habe, bin ich mir wieder nicht sicher, ob die Schaltung stimmt. Es soll eine Pick-and-Hold Schaltung werden, wo ein Solenoid erstmal zum schnellen Einziehen mit der ganzen Spannung gespeist wird, und nach dem Eiziehen wird er im PWM Modus betrieben, damit er nur offen bleibt. So spare ich den Strom und verhindere das Erhitzen des Solenoids. Waehrend des PWMens soll Q1 offen bleiben. Wenn der Solenoid schliessen soll, schliesse ich Q1 und Q2 gleichzeitig. Es entwickelt sich eine Flybackspannung von 100V und der Solenoid schliesst schneller verglichen mit der Situation, wo Q1 offen bleibt. Jetz zum Punkt, wo ich meine Zweifel habe. Wenn Q2 und Q1 offen sind(waeherend des On Times des PWMens), ist die Spannung zwischen GateQ1 ung EmmiterQ1 gleich -24V. Im Datenblatt wird die Durchbruchspannung zwischen Gate und Emmiter nicht angegeben. Wie finde ich am besten heraus, ob das funktioniert? Gibt es andere, guenstigere Moeglichkeiten, die Flybackspannung ueber verschiedene Wege zu routen, als die oben vorgestelte? Danke.
Gast
#370668
Eine Korrektur: Es geht um CollectorQ1. Der Paragraph sollte wie folgt lauten: Jetz zum Punkt, wo ich meine Zweifel habe. Wenn Q2 und Q1 offen sind (waeherend des On Times des PWMens), ist die Spannung zwischen GateQ1 ung CollectorQ1 gleich -24V. Im Datenblatt wird die Durchbruchspannung zwischen Gate und Collector nicht angegeben.
Gast
#370669
Eine IGBT im Inversbetrieb? Geht das??? Die Durchbruchspannung zwischen Collector und Gate steht natürlich in Beziehung zur Durchbruchspannung zwischen Collector und Emitter. Wenn bei abgeschaltetem Transistor einen Gatespannung von -20V zuässig ist und nichts gegenteiliges erwähnt wird, würde ich somit mal von Vces+20V=1220V ausgehen.
Gast
#370670
Hallo A.K.,
Vielen Dank fuer deine Anregung.
Koenntest Du bitte noch ein mal erleutern, was "Inversbetrieb" bei
einem IGBT bedeutet?
Der obere IGBT soll die Flyback Strom leiten, d.h. Angennomen Q2 und Q1
sind offen,d.h VgeQ1,2=12V. Nur Q2 leitet, weil die Spannung am Q1 in
Sperrichtung anliegt.
Jetzt sperrt Q2, VgeQ2=0 und VgeQ1=12 . JP1 pin (2) geht positiv
verglichen zu JP1 pin (1) wegen der Induktivitaet des Solenoids. Der
Strom wird durch Q1 geleitet, damit er nicht gleich abbricht.
Wenn Q2 wieder oeffnet, geht VcQ1 gegen Masse, wobei VgeQ1=12V immer
noch, d.h. VgcQ1 wird wieder =~24V.
Im Datenblatt steht: max Vge=20V
Vce=1200V
Vec=20V
Die Situatio, die mich interessiert ist die Folgende:
Vec=12V
Vge=12V
also Vgc=24V
Ich wuerde gerne wissen, ob Vgc=24V geht.