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Forum: Markt N-MOSFET 10A 100V OHNE DIODE


Autor: romanua (Gast)
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Hallo, ich suche nach einem N-Channel MOSFET Transistor, der KEINE
Umkehrdiode hat. Der soll ungefaehr fuer 10A, 100V ausgelegt sein.

Wer weiss Bescheid, welcher Hersteller so etwas fuehrt?

Danke,
r.

Autor: crazy horse (Gast)
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wirst du kaum finden, da diese Diode nicht extra eingebaut (und somit
weggelassen werden könnte), sondern ein Nebenprodukt des
Herstellungsprozesses ist.

Autor: romanua (Gast)
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Vielen Dank. Dann muss ich mir wohl die IGBTs  anschauen.

Autor: crazy horse (Gast)
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Das wird dir aber auch nicht allzuviel nützen, reverse voltage i.a.
<20V. Was willst du machen? Normalerweise stören die Dioden doch gar
nicht?

Autor: romanua (Gast)
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>Normalerweise stören die Dioden doch gar nicht?

Stimmt, war falsch herum inder Schaltung. Danke.

Autor: Harry (Gast)
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ROF-FEL.

Autor: romanua (Gast)
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@crazy horse, alle

Hallo,

obwohl ich jetz einen Fehler gefunden habe, bin ich mir wieder nicht
sicher, ob die Schaltung stimmt.

Es soll eine Pick-and-Hold Schaltung werden, wo ein Solenoid erstmal
zum schnellen Einziehen mit der ganzen Spannung gespeist wird, und nach
dem Eiziehen wird er im PWM Modus betrieben, damit er nur offen bleibt.
So spare ich  den Strom und verhindere das Erhitzen des Solenoids.
Waehrend des PWMens soll Q1 offen bleiben. Wenn der Solenoid schliessen
soll, schliesse ich Q1 und Q2 gleichzeitig. Es entwickelt sich eine
Flybackspannung von 100V und der Solenoid schliesst schneller
verglichen mit der Situation, wo Q1 offen bleibt.

Jetz zum Punkt, wo ich meine Zweifel habe. Wenn Q2 und Q1 offen
sind(waeherend des On Times des PWMens), ist die Spannung zwischen
GateQ1 ung EmmiterQ1 gleich  -24V. Im Datenblatt wird die
Durchbruchspannung zwischen Gate und Emmiter nicht angegeben.

Wie finde ich am besten heraus, ob das funktioniert?

Gibt es andere, guenstigere Moeglichkeiten, die Flybackspannung ueber
verschiedene Wege zu routen, als die oben vorgestelte?

Danke.

Autor: romanua (Gast)
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Eine Korrektur: Es geht um CollectorQ1.

Der Paragraph sollte wie folgt lauten:

Jetz zum Punkt, wo ich meine Zweifel habe. Wenn Q2 und Q1 offen
sind (waeherend des On Times des PWMens), ist die Spannung zwischen
GateQ1 ung CollectorQ1 gleich -24V. Im Datenblatt wird die
Durchbruchspannung zwischen Gate und Collector nicht angegeben.

Autor: A.K. (Gast)
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Eine IGBT im Inversbetrieb? Geht das???

Die Durchbruchspannung zwischen Collector und Gate steht natürlich in
Beziehung zur Durchbruchspannung zwischen Collector und Emitter. Wenn
bei abgeschaltetem Transistor einen Gatespannung von -20V zuässig ist
und nichts gegenteiliges erwähnt wird, würde ich somit mal von
Vces+20V=1220V ausgehen.

Autor: romanua (Gast)
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Hallo A.K.,

Vielen Dank fuer deine Anregung.

Koenntest Du bitte noch ein mal erleutern, was  "Inversbetrieb" bei
einem IGBT bedeutet?

Der obere IGBT soll die Flyback Strom leiten, d.h. Angennomen Q2 und Q1
sind offen,d.h VgeQ1,2=12V. Nur Q2 leitet, weil die Spannung am Q1 in
Sperrichtung anliegt.

Jetzt sperrt Q2, VgeQ2=0 und VgeQ1=12 . JP1 pin (2) geht positiv
verglichen zu  JP1 pin (1) wegen der Induktivitaet des Solenoids. Der
Strom wird durch Q1 geleitet, damit er nicht gleich abbricht.

Wenn Q2 wieder oeffnet, geht VcQ1 gegen Masse, wobei VgeQ1=12V immer
noch, d.h. VgcQ1 wird wieder =~24V.

Im Datenblatt steht: max Vge=20V
                         Vce=1200V
                         Vec=20V
Die Situatio, die mich interessiert ist die Folgende:
                         Vec=12V
                         Vge=12V
                    also Vgc=24V

Ich wuerde gerne wissen, ob Vgc=24V geht.

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