Back-to-back Mosfet

Sepp Gast #6225359
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Nabend Leute,

ich habe eine Frage an euch, ich habe ein Akku (Lipo 2S) und ein 
Laderegler. Nun möchte ich gerne den Rückstrom in den Laderegler 
verhindern, wenn der Akku nicht geladen wird.

Ich habe dazu schon einge MOSFET schaltungen gesehen (mal 2xP Kanal und 
mal 1P und 1N Kanal Mosfet), wo liegt der unterschied?

Die leitung soll über ein Arduino oder PIC gesteuert werden, hab mich da 
noch nicht festgelegt, was eignet sich dafür am besten. An N-Kanal 
Mosfets habe ich einige zuhause, an P Kanal derzeit nur den IRF4905 ist 
dieser für das vorhaben geeignet?

besten dank Sepp
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Jens G. #6225383
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Sepp (Gast) schrieb:

>ich habe eine Frage an euch, ich habe ein Akku (Lipo 2S) und ein
>Laderegler. Nun möchte ich gerne den Rückstrom in den Laderegler
>verhindern, wenn der Akku nicht geladen wird.

Ich würde erstmal prüfen, ob überhaupt ein Rückstrom fließt, denn 
oftmals (üblicherweise?) haben die Dinger bereits ein "Rückschlagventil" 
drin.
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Bauform B. #6225635
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Theoretisch würde doch eine einfache Diode reichen, oder? Leider kann 
der Laderegler dann die Akkuspannung nicht mehr (genau) messen. Das wäre 
wahrscheinlich gut für den Akku, aber so richtig voll wird er nicht 
mehr.

Mit einem FET als "ideale Diode" wird es besser, aber nicht perfekt, 
weil der immer noch einen Spannungsabfall hat, besonders bei 
Schnellladung.

Der IRF4905 ist ein sehr netter FET, aber der ist nur für 10 Volt 
spezifiziert. Bei leerem Akku bekommt er nicht einmal 6 V Gatespannung, 
dann funktioniert er schon noch, aber dieser Spannungsabfall könnte 
stören. Ein gutes Exemplar hat dann vielleicht 0.05 Ohm, d.h. ab 5 A 
brennt er auch schön langsam ab. Also, im Prinzip ja, aber nur für 
kleine Ladeströme.

Aber vielleicht habe ich die Aufgabe garnicht verstanden, weil, wozu 
dient der zweite FET?
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Sepp Gast #6226029
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wo ist der fet den für 10V nur Spezifiziert ?

UGS ist ab 4,5V im Datenblatt angegeben bis 20V.
Der Ladestrom LIPO liegt bei maximal unter 1A.

Bei UGS von 5.0V und einen VDS von 6V sind ein ID von 20A möglich.

Der Spannungsabfall von bei einem 1A liegt bei einem RDSon von 0.02 Ohm 
( hab jetzt auf die schnelle zum RDSon keine grafik gefunden im 
Datenblatt) fallen 0.02V oder 20mV an Spannung über die Mosfets ab.

Ich würd sie gerne als Highside nutzen und das ganze dann per P-Kanal 
lösen wenn ich das richtig verstanden habe.

Also werden die Fets nur in reihe geschaltet und D(vom 1.) und S(vom 2.) 
verbunden richtig?
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